Похожие главы из других работ:
Автоматизированная система изучения тепловых режимов устройств ЭВС
Компоненты электронно-вычислительных систем функционируют строго в ограниченном температурном диапазоне. Уход температуры за указанные пределы может привести к необратимым структурным изменениям компонентов...
Аналіз побудови радіотрактів багаточастотних широкосмугових сигналів з OFDM
Відповідно до норм ГКРЧ на ширину смуги радіочастот та позасмугових випромінювання цивільного застосування, контрольна ширина смуги частот випромінювання визначається за рівнем - 30 дБ...
Волоконно-оптические линии связи
Способ прокладки ОК с использованием защитного трубопровода весьма эффективен в тех случаях, когда на трассе имеются многочисленные преграды, расположенные близко друг от друга, затруднен доступ...
Конструктивные особенности и эксплуатация ЭЛТ мониторов
Рис. 1.2. Сведение в цветных мониторах (масштаб не соблюден)
Теневая маска -- это тонкий перфорированный металлический лист, расположенный сразу за люминофорным покрытием.
Электронные лучи каждой из трех электронных пушек сформированы так...
Медицинский прибор для прогнозирования динамики воспалительного процесса
Данный прибор будет охлаждаться c помощью вытяжных вентиляторов, встроенных в стенки корпуса.
Устанавливаем в первом приближении температуру стенок стенда:
, (38)
Где Тз- температура нагретой зоны, К;
Тс- максимальная температура в помещении...
Проект осветительной установки
Согласно ПУЭ все осветительные сети подлежат защите от токов короткого замыкания. Кроме того, требуется защита от перегрузок для сетей жилых и общественных зданий, торговых предприятий, пожаро- и взрывоопасных помещений, а также сетей...
Разработка системы автоматизации теплового пункта
Для защиты оборудования от токов короткого замыкания были выбраны однополюсные и трехполюсные автоматические выключатели с характеристикой C IEK...
Технология изготовления интегральной схемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)
Сущность легирования состоит в том, что в полупроводник внедряется легирующая примесь и образует область с определённым типом проводимости. Чтобы получить p-n переход, количество введённой примеси должно быть достаточным...
Технология изготовления интегральной схемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)
Исходные данные для расчета:
Так как удельное сопротивление в подложке...
Технология изготовления интегральной схемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)
Так как эмиттерная диффузия осуществляется на глубину менее 2 мкм, то она будет проводиться в одну стадию - этап загонки.
а. Определим исходную концентрацию примеси в базе на глубине эмиттерного перехода
б...
Технология изготовления схемы интегрального усилителя
Режим получения пленки нитрида кремния
Нитрид кремния получают методом химического осаждения при температуре . Для получения данной пленки используются установки эпитаксиального наращивания или однозонные диффузионные печи...
Технология изготовления схемы интегрального усилителя
...
Технология изготовления схемы интегрального усилителя
Для создания хорошей изоляции слой окисла должен быть равен 3 мкм, а также быть плотным и надежным.
Окисление проводится при температуре по комбинированной технологии. Для этого в начале процесса в течение 15 мин...
Технология изготовления схемы интегрального усилителя
Слой окисла должен быть равен 1 мкм, а также быть плотным и надежным.
Окисление проводится при температуре по комбинированной технологии. Для этого в начале процесса в течение 15 мин...
Технология изготовления схемы интегрального усилителя
При расчете перераспределения примеси при окислении принимаем следующие допущения:
· Рост окисла направленный;
· Обе границы окисла неподвижны, т.е. считаем, что сначала вырастили пленку, а затем нагрели пластину...