ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В ходе проделанной работы был разработан технологический процесс изготовления схемы интегрального усилителя. Рассчитаны режимы диффузии и окисления, технологическая погрешность изготовления диффузионных резисторов. Были получены следующие технологические режимы:

1) для получения базового слоя производим диффузию бора в две стадии: время загонки составляет 24,96 мин при температуре загонки 1223 К, коэффициент диффузии равен 6,717*10-14 см2/с; время разгонки 37,1294 мин при температуре разгонки 1423 К, коэффициент диффузии равен 9,29425*10-12 см2/с;

2) для получения эмиттерного слоя производим диффузию фосфора в одну стадию: время диффузии 38,576 мин при температуре диффузии 1373К, коэффициент диффузии равен 1,02259*10-13 см2/с;

3) Для получения диэлектрических карманов проводим термическое окисление кремния по комбинированной технологии. Температура окисления 1200К, время окисления 1,682 ч.

4) Был произведен расчет перераспределения примесей после окисления. В результате окисления база-эмиттерный переходный сместился вглубь на 0.65 мкм и база-коллекторный на 0,45 мкм.

5) значение погрешности изготовления резисторов составило 25 %, что обуславливается большой глубиной p-n перехода.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Коледов ЛИ,Волков ВА Конструирование и технология микросхемКурсовое проектирование- Москва: Высшая школа,1984 г.

2. В.М. Харченко - Основы электроники. Учебное пособие для техникумов., - М. Энергоиздат, 1982. - 352 с.

3. Смирнова К.И. Технология изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. -Томск : ТУСУР, 1998.

4. Парфенов О.Д. Технология микросхем- Москва: Высшая школа,1986 г.

5. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника.- Москва: Высшая школа , 1986 г

6. Матсон Э.А., Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем - Минск: Высшая школа, 1982 г.

7. Данилина Т.И., Смирнова К.И. Процессы микро- и нанотехнологии Учебное пособие, Томск 2004