Похожие главы из других работ:
Запираемые тиристоры и полевые транзисторы
По физической структуре и механизму работы полевые транзисторы условно делят на 2 группы. Первую образуют транзисторы с управляющим р-n переходом или переходом металл -- полупроводник (барьер Шоттки)...
Идентификация параметров математических моделей биполярных транзисторов КТ209Л, КТ342Б и полевого транзистора КП305Е
Статические характеристики транзистора показывают, что связь между токами и напряжениями выражается нелинейной зависимостью. Таким образом, транзистор является, вообще говоря, нелинейным элементом...
Милицейская крякалка (сирена) на PIC-микроконтроллере
Рисунок 2.6 -Биполярный транзистор
Рисунок 2.7 - Виды транзисторов
Принцип действия и способы применения транзисторов существенно зависят от их типа и внутренней структуры, поэтому подробная информация об этом отнесена в соответствующие статьи...
Особенности транзисторов
Биполярный транзистор является активным прибором, позволяющим осуществлять усиление электрических сигналов. В конкретных электронных схемах он включается как четырехполюсник, у которого имеются входная и выходная цепи...
Особенности транзисторов
Система условных обозначений транзисторов такая же, как и у полупроводниковых диодов, только 2 и 3 элемент имеют другие значения. Второй элемент: буква Т - биполярный транзистор; буква П. - полевой транзистор. Третий элемент - цифра...
Повышение технологичности печатного узла усилителя на ОУ
Транзистор фирмы Philips модель BC857A - биполярный pnp транзистор общего назначения. Напряжение коллектор-эмиттер 50В; ток коллектора 100мА; h21э 125-250.
1.2...
Полевые транзисторы и их применение
Полевые транзисторы нашли широкое применение в радиоэлектронике. МДП-транзисторы имеют очень высокое входное сопротивление (RBX> 1014 Ом, иногда до 1017 Ом). Параметры МДП-транзисторов меньше зависят от температуры, чем биполярных...
Полупроводниковые приборы
Так как транзистор имеет три вывода (эмиттер, базу и коллектор), при его включении в схему в качестве четырехполюсника один из выводов является входным зажимом, второй - выходным, а третий - общим для входа и выхода четырехполюсника...
Полупроводниковые приборы
Статическими характеристиками называют зависимости постоянных токов (напряжений) в цепях электродов транзистора от приложенных к электродам постоянных напряжений (протекающих в цепях электродов токов)...
Разработка детектора высокочастотного излучения
В таблице 5.3.1 приведены несколько зарубежных транзисторов которые подходят для нашей схемы, а также их отечественные аналоги.
Таблица 5.3.1 Параметры выбираемых транзисторов [7]
параметры
Р, мВТ
Uкэ, В
Iк, А
+
+
+
BC548
500
30
0...
Разработка конструкции многофункционального индикатора напряжения сети
Транзисторы BC517 и BC636. Максимальный ток 500 мА. Максимальное напряжение 30 В. . Технические характеристики представлены в таблице 4.15.
Таблица 4.15 Технические характеристики транзисторов BC517 и BC636...
Расчет основных параметров радиоканала и радиопередающей части радиоканала
...
Расчет основных параметров радиоканала и радиопередающей части радиоканала
...
Управление вентиляторами компьютера через порт LPT
Произведём выбор наиболее подходящего полупроводникового прибора из ниже приведённого списка.
Таблица 2.1.5...
Усилители на биполярных транзисторах
Выше мы уже упоминали о наличии у транзисторов гак называемых малосигнальных параметров. Теперь поговорим об этом подробнее. Такие параметры характеризуют работу транзистора в режиме усиления малых переменных токов и напряжений...