Цифровая электроника

курсовая работа

2.4 ДИНАМИЧЕСКИЕ ОЗУ

В ЭЗЭ динамических ОЗУ информация хранится в виде заряда на конденсаторе. При этом в соответствии с рис. для отождествления напряжения на конденсаторе со значением лог. О или лог. I оно должно иметь уровни, расположенные в определенном диапазоне. Следует отметить, что любой даже самый совершенный конденсатор обладает собственным саморазрядом. Кроме этого для обеспечения режимов заряда-разряда к конденсатору необходимо подключить дополнительные цепи, сопротивление которых хотя и может быть достаточно большим, но всегда имеет некоторую конечную величину. Вследствие этого заряженный до определенного уровня конденсатор через некоторое время теряет свой заряд и напряжение на нем выходит из зоны отображения исходной логической константы.

Использование памяти такого типа технически оправдано только в случае, когда время хранения информации tKP существенно больше времени, необходимого для ее восстановления: T xp=Txp/Tboc>1. Последнее требует увеличения приведенного сопротивления саморазряда конденсатора, под которым понимается некоторое эквивалентное сопротивление, включенное параллельно конденсатору к учитывающее как собственный саморазряд конденсатора, так н разряд по внешним целям. Желание увеличить это сопротивление привело к использованию в ЭЗЭ динамических ОЗУ только полевых транзисторов.

Казалось бы, что увеличить время хранения информации в таких ОЗУ можно за счет увеличения емкости конденсатора, Однако, во-первых, при неизменных параметрах цепей заряда-разряда такое решение не изменяет Txp и, во-вторых, требует увеличения площади конденсатора. Последнее, применительно к полупроводниковой технологии, ведет к уменьшению числа конденсаторов, которые можно разместить на кристалле заданной площади, т. е. к уменьшению объема хранимой в ИС информации. Следовательно, этот способ не совместим с полупроводниковой технологией.

Как следует из принципа работы, особенностью динамических ОЗУ является необходимость периодического восстановления (регенерации) заряда на конденсаторах. Для этого информация с ЭЗЭ периодически считывается и затем повторно записывается с восстановлением требуемого уровня напряжения, В реально выпускаемых ОЗУ регенерация заряда конденсаторов ЭЗЭ выполняется через каждые I.....2мс, что соответствует частоте регенерации 0,5... 1 кГц.

По сравнению со статическими, динамические ОЗУ обладают меньшим быстродействием» но они существенно проще, дешевле и обеспечивают очень высокую степень интеграции, т. е, предполагают разработку ИС с большим объемом хранимой информации. В настоящее время разработаны ИС динамических ОЗУ с организацией I28M.XL

Делись добром ;)