КНИ-транзисторы (кремний на изоляторе) имеют полностью или частично обедненное носителями основание. Вследствие обеднения подложки зарядами электрическое поле в инверсионном слое прибора существенно меньше...
Полевые транзисторы (Field-Effect Transistor), или FET-транзисторы, характеризуются максимальной удельной крутизной ВАХ и предельной частотой. На рисунке 12 изображен n-канальный полевой транзистор с затвором Шоттки на арсенид-галиевой структуре (MESFET)...
Гетероструктурные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов или НЕМТ-транзисторы (High Electron Mobility Transistor) имеют большую крутизну ВАХ и большую предельную частоту...
Рис. 2. Устройство полевого транзистора с изолированным затвором. Полевой транзистор с изолированным затвором -- это полевой транзистор, затвор которого отделён в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика...
Теоретические сведения по биполярным транзисторам Биполярные транзисторы можно определить как полупроводниковые приборы, управляемые током (под этим понимается...
...
Эти приборы имеют затвор в виде металлической плёнки, которая изолирована от полупроводника слоем диэлектрика. В качестве диэлектрика применяется окись кремния...
Транзистор - это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний...
Полевые транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы, в которых прохождение тока обусловлено дрейфом основных носителей заряда только одного знака (электронами или дырками) под действием продольного электрического поля...
Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом могут быть изготовлены на основе кристалла полупроводника п- или р-типа. Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом представляет собой (рис. 19...
В полевых транзисторах с изолированным затвором затвор изготовляется в виде металлической пластины, изолированной пленкой диэлектрика от полупроводника...
...
...
Общие сведения о данных транзисторах занесены в таблицу (таблица 3): Таблица 3 Тип транзистора КП812А: КП - транзистор полевой; 812 - номер серии; Структура N-FET Макс. напр. сток-исток, В 60 Макс. ток сток-исток, А 50 Макс. напр...
VT1, VT2 - кремниевый биполярный, тип КТ3102, КТ3156 (рисунок 3.1). Рисунок 3.1 - транзистор КТ3102 Тип: n-p-n Uкбо(и),В: 50 Uкэо(и), В: 50 Iкmax(и), мА: 100(200) Pкmax(т), Вт: 0.25 h21э: 100-200 Iкбо, мкА: меньше 0,05 fгр., МГц: больше 150 VT2 - кремниевый биполярный, тип КТ3685 (рисунок 3.2)...