Похожие главы из других работ:
Блок выравнивания порядков и сдвига мантисс
Толщину основания ПП определяют из соотношения:
где:
толщина ПП;
номинальное значение диаметра сквозного наименьшего металлизированного отверстия;
отношение диаметра сквозного отверстия к толщине ПП.
Примем толщину печатной платы за 2,4 мм...
Исследование электрофизических параметров полупроводниковых материалов
В технологии производства ИС на основе кремния операция окисления стоит на первом месте, в ходе изготовления ИС эта операция повторяется несколько раз...
Малошумящий интегральный усилитель
Рис. 2.1 - Схематическое изображение полевого транзистора
С точки зрения функционирования ПТШ (см. рисунок 2.1) может рассматриваться как резистор с переменным сечением и, следовательно, переменным сопротивлением.
Под затвором...
Малошумящий интегральный усилитель
Толщина обедненной области определяется:
(3.1)
где q - элементарный заряд (q=1.610-19Кл);
0 - диэлектрическая постоянная (0=8.8510-12);
- относительная диэлектрическая проницаемость (=3...
Малошумящий интегральный усилитель
С точки зрения функционирования, ПТШ (см. рисунок 3.1) может рассматриваться как резистор с переменным сопротивлением.
Рисунок 2.1 - Схематическое изображение полевого транзистора
Под затвором, за счет образования барьера металл-полупроводник...
Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя
В схеме широкополосного усилителя (Приложение А) имеются 9 резисторов с разбросом номиналов от 700 Ом до 5,4 кОм и различной мощностью рассеивания. Наибольшее распространение получили диффузионные резисторы на основе базовой диффузии...
Приемная антенна прибора гидроакустической связи
В качестве обтекателя антенны выберем звукопроводящую резину С-572, которая не создает дополнительных препятствий для прохождения звуковой волны. Свойства и применение резины: маслостойкая, электроизоляционные. Герметизация пьезоблоков...
Разработка конструкции и технологического процесса изготовления диффузионного резистора
Интегральные резисторы - группа резисторов с различными номиналами, изготовленных на общем основании (пассивной подложке, полупроводниковом кристалле) одновременно, в общем технологическом процессе...
Разработка конструкции и технологического процесса изготовления диффузионного резистора
На начальном этапе конструирования определяется поверхностное сопротивление Rсл базовой области. Сначала определяем условную дозу легирования Qп, т.е. количество примеси, приходящееся на 1 см2 в пределах от 0 до Хб...
Разработка конструкции и технологического процесса изготовления диффузионного резистора
Из-за тесной связи диффузионных резисторов с диффузионными транзисторами на этапе проектирования резисторы модернизируют изменением не технологических режимов, а геометрических параметров...
Разработка конструкции и технологического процесса изготовления диффузионного резистора
Опишем базовый процесс формирования диффузионного резистора:
Исходным материалом служит пластина кремния р-типа.
К пластинам предъявляют следующие требования:
1. Совершенная кристаллическая решетка, плотность дислокаций не более 10 см-2
2...
Разработка печатной платы цифрового автомата
Устройство является быть портативным, предназначенным для длительной переноски и работающим на ходу. Поэтому необходимо увеличить жесткость платы, толщину платы возьмем 1,5 мм...
Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение технологических режимов его изготовления
Величина удельного сопротивления эпитаксиального слоя (ЭС) определяется с учетом заданного значения пробивного напряжения VКБ.
Известно [1], что величина пробивного напряжения плоского резкого p-n-перехода определяется следующим соотношением:...
Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение технологических режимов его изготовления
Толщина ЭС определяется исходя из соотношения:
hЭСmin = xjК-Б+W0+?сс, (3.1)
где xjК-Б - глубина залегания p-n-перехода коллектор-база; W0 - ширина ООЗ p-n-перехода при рабочем напряжении (напряжении пробоя); ?сс - величина расплывания СС в ЭС...
Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке
Диффундирующая примесь поступает в полубесконечное тело из источника, который представляет собой примыкающий к границе тела слой толщиной , примесь в котором распределена равномерно. Такой источник называют ограниченным...