Малошумящий интегральный усилитель
2.3 Определение геометрических размеров полевого транзистора Шоттки
С помощью пакета PSPICE получены геометрические размеры полевого транзистора с затвором Шоттки, который является основным элементом усилителя. Количество параллельных структур (затворов, истоков, стоков) в данном транзисторе десять. Это позволяет достичь достаточно большого усиления на высоких частотах.
Все размеры транзистора занесены в таблицу 2.1.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Размещено на http://www.allbest.ru/
Рис.2.2 - Схематическое изображение транзистора Шоттки
Таблица 2.1 - Геометрические размеры полевого транзистора с затвором Шоттки.
Параметры |
Значения, мкм |
|
Толщина пленок |
||
толщина металлизации затвора Hmg |
1.2 |
|
толщина металлизации истока Hms |
1.4 |
|
толщина металлизации стока Hmd |
1.4 |
|
Полупроводниковая структура |
||
толщина эпитаксиального N - слоя an |
0.1 |
|
толщина канала под затвором ak |
0.06 |
|
толщина эпитаксиального N+ - слоя an+ |
0.2 |
|
Планарные размеры |
||
ширина затвора (длина пальца затвора) W |
25 |
|
длина затвора (ширина пальца затвора) L |
0.2 |
|
ширина пальцев истока Ls |
20 |
|
ширина пальцев стока Ld |
20 |
|
Расстояния |
||
расстояние от края затвора до края истока Lsg |
2 |
|
расстояние от края затвора до края стока Ldg |
2 |
|
расстояние от края истока до лунки затвора Lsn |
1.75 |
|
расстояние от края стока до лунки затвора Ldn |
1.75 |