Малошумящий интегральный усилитель
5. Разработка технологии изготовления кристалла
Кристалл выполняем на пластине ni - n - n+ - GaAs
Технология очистки поверхности кристалла
1. На начальном этапе очистки производится так называемое обезжиривание поверхности - удаления жиров, масел, восков, смол. При этом в качестве растворителей могут использоваться углеводороды, их смеси, спирты, эфиры, амины, кетоны, хлорорганические соединения и др.
2. Органические примеси с поверхности кремниевых пластин обычно удаляются в перекисно-аммиачном растворе (Н2О2 : NН4ОН : Н2О = 1 : 1 : 3) с последующей гидродинамической отмывкой поверхности. Перекись водорода Н2О2 обеспечивает окисляющее разложение органических примесей, гидроксид аммония NН4ОН образует комплексные соединения с металлами, что облегчает их удаление с поверхности.
3. Для отмывки пластин используют особо чистую воду: дистиллированную и деионизованную (ионообменную). Степень очистки воды контролируют по ее удельному электросопротивлению. Удельное сопротивление дистиллированной воды составляет от 100 до 200 кОмсм, бидистиллированной - от 0,5 до 10 МОмсм, деионизованной - до 20 МОмсм.
4. Для очистки от органических частиц деионизованная вода фильтруется мембранными фильтрами из тонких пленок нитроцеллюлозы, нейлона и др. материалов, обеспечивающих размеры отверстий от долей до нескольких микрометров.
5. Очищенная поверхность пластин должна быть предохранена от последующих загрязнений. Для этого используют несколько приемов: моментальную передачу очищенных пластин в условиях чистой окружающей среды на следующую технологическую операцию; хранение очищенных пластин в герметичной таре, заполненной чистым инертным газом; защиту поверхности кремниевых пластин специальными технологическими пленками, например покрытие их специальным лаком.
Травление n+ слоя
1. Подготовка пластины.
2. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом полива.
3. Сушка фоторезиста при температуре 100 С.
4. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 1).
5. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.
6. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.
7. Травление потоком химически активных, но нейтральных частиц. К таким частицам относятся свободные радикалы и некоторые короткоживущие молекулярные комплексы, которые возникают в плазме соответствующих газов.
8. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 єС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.
Травление n слоя
1. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом центрифугирования.
2. Сушка фоторезиста при температуре 100 С.
3. Совмещение и экспонирование методом проецирования (фотошаблон 2).
4. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.
5. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.
6. Травление потоком химически активных, но нейтральных частиц. К таким частицам относятся свободные радикалы и некоторые короткоживущие молекулярные комплексы, которые возникают в плазме соответствующих газов.
7. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 єС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.
Изготовление резисторов
1. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом полива.
2. Сушка фоторезиста при температуре 100 С.
3. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 2).
4. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.
5. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.
6. Нанесение слоя материала резисторов рения методом катодного осаждения.
7. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 єС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.
Нанесение нижней обкладки конденсаторов
1. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом центрифугирования.
2. Сушка фоторезиста при температуре 100 С.
3. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 5).
4. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.
5. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.
6. Напыление первого слоя металлизации Au методом плазмохимического осаждения.
7. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 єС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.
Формирование лунок под затвор
1. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом полива.
2. Сушка фоторезиста при температуре 100С.
3. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 5).
4. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.
5. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.
6. Травление потоком химически активных, но нейтральных частиц. К таким частицам относятся свободные радикалы и некоторые короткоживущие молекулярные комплексы, которые возникают в плазме соответствующих газов.
7. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 єС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.
Омические контакты
Для формирования контактов используют метод обратной фотолитографии (Фотошаблон 3):
1. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом центрифугирования.
2. Сушка фоторезиста при температуре 100С.
3. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 3).
4. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.
5. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.
6. Наносят слой Au методом ионно-плазменного осаждения, этот слой и будет являться омическими контактами.
7. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 єС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.
8. Вплавление контактов.
Первая металлизация
1 Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом полива.
2 Сушка фоторезиста при температуре 100 С.
3 Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 7).
4 Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.
5 Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.
6 Напыления первого слоя металлизации методом плазмохимического осаждения.
7 Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 єС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.
Вторая металлизация
1. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом центрифугирования.
2. Сушка фоторезиста при температуре 100 С.
3. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 9).
4. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.
5. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.
6. Напыление второго слоя металлизации Au методом плазмохимического осаждения.
7. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 єС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.
Нанесение диэлектрика Al2O3
Материал диэлектрика Al2O3. Нанесение методом плазмохимического осаждения при температуре 300 С в течение 100 секунд (Фотошаблон 9).