Малошумящий интегральный усилитель

курсовая работа

5. Разработка технологии изготовления кристалла

Кристалл выполняем на пластине ni - n - n+ - GaAs

Технология очистки поверхности кристалла

1. На начальном этапе очистки производится так называемое обезжиривание поверхности - удаления жиров, масел, восков, смол. При этом в качестве растворителей могут использоваться углеводороды, их смеси, спирты, эфиры, амины, кетоны, хлорорганические соединения и др.

2. Органические примеси с поверхности кремниевых пластин обычно удаляются в перекисно-аммиачном растворе (Н2О2 : NН4ОН : Н2О = 1 : 1 : 3) с последующей гидродинамической отмывкой поверхности. Перекись водорода Н2О2 обеспечивает окисляющее разложение органических примесей, гидроксид аммония NН4ОН образует комплексные соединения с металлами, что облегчает их удаление с поверхности.

3. Для отмывки пластин используют особо чистую воду: дистиллированную и деионизованную (ионообменную). Степень очистки воды контролируют по ее удельному электросопротивлению. Удельное сопротивление дистиллированной воды составляет от 100 до 200 кОмсм, бидистиллированной - от 0,5 до 10 МОмсм, деионизованной - до 20 МОмсм.

4. Для очистки от органических частиц деионизованная вода фильтруется мембранными фильтрами из тонких пленок нитроцеллюлозы, нейлона и др. материалов, обеспечивающих размеры отверстий от долей до нескольких микрометров.

5. Очищенная поверхность пластин должна быть предохранена от последующих загрязнений. Для этого используют несколько приемов: моментальную передачу очищенных пластин в условиях чистой окружающей среды на следующую технологическую операцию; хранение очищенных пластин в герметичной таре, заполненной чистым инертным газом; защиту поверхности кремниевых пластин специальными технологическими пленками, например покрытие их специальным лаком.

Травление n+ слоя

1. Подготовка пластины.

2. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом полива.

3. Сушка фоторезиста при температуре 100 С.

4. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 1).

5. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.

6. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.

7. Травление потоком химически активных, но нейтральных частиц. К таким частицам относятся свободные радикалы и некоторые короткоживущие молекулярные комплексы, которые возникают в плазме соответствующих газов.

8. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 єС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.

Травление n слоя

1. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом центрифугирования.

2. Сушка фоторезиста при температуре 100 С.

3. Совмещение и экспонирование методом проецирования (фотошаблон 2).

4. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.

5. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.

6. Травление потоком химически активных, но нейтральных частиц. К таким частицам относятся свободные радикалы и некоторые короткоживущие молекулярные комплексы, которые возникают в плазме соответствующих газов.

7. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 єС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.

Изготовление резисторов

1. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом полива.

2. Сушка фоторезиста при температуре 100 С.

3. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 2).

4. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.

5. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.

6. Нанесение слоя материала резисторов рения методом катодного осаждения.

7. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 єС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.

Нанесение нижней обкладки конденсаторов

1. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом центрифугирования.

2. Сушка фоторезиста при температуре 100 С.

3. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 5).

4. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.

5. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.

6. Напыление первого слоя металлизации Au методом плазмохимического осаждения.

7. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 єС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.

Формирование лунок под затвор

1. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом полива.

2. Сушка фоторезиста при температуре 100С.

3. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 5).

4. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.

5. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.

6. Травление потоком химически активных, но нейтральных частиц. К таким частицам относятся свободные радикалы и некоторые короткоживущие молекулярные комплексы, которые возникают в плазме соответствующих газов.

7. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 єС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.

Омические контакты

Для формирования контактов используют метод обратной фотолитографии (Фотошаблон 3):

1. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом центрифугирования.

2. Сушка фоторезиста при температуре 100С.

3. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 3).

4. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.

5. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.

6. Наносят слой Au методом ионно-плазменного осаждения, этот слой и будет являться омическими контактами.

7. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 єС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.

8. Вплавление контактов.

Первая металлизация

1 Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом полива.

2 Сушка фоторезиста при температуре 100 С.

3 Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 7).

4 Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.

5 Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.

6 Напыления первого слоя металлизации методом плазмохимического осаждения.

7 Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 єС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.

Вторая металлизация

1. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом центрифугирования.

2. Сушка фоторезиста при температуре 100 С.

3. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 9).

4. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.

5. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.

6. Напыление второго слоя металлизации Au методом плазмохимического осаждения.

7. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 єС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.

Нанесение диэлектрика Al2O3

Материал диэлектрика Al2O3. Нанесение методом плазмохимического осаждения при температуре 300 С в течение 100 секунд (Фотошаблон 9).

Делись добром ;)