4. Разработка конструкции и топологии кристалла

Содержание

• Введение
• 1. Анализ технического задания
• 2. Проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки
• 2.1 Определение толщины обедненной области
• 2.2 Определение значения порогового напряжения перекрытия канала
• 3. Функциональное проектирование усилителя
• 3.1 Получение схемы электрической принципиальной
• 3.2 Исследование влияния входного сопротивления на коэффициент шума и другие характеристики ПТШ
• 4. Разработка конструкции и топологии кристалла
• 4.1 Расчет геометрических размеров пассивных элементов
• 4.1.1 Расчет геометрических размеров конденсаторов
• 4.1.2 Расчет геометрических размеров резисторов
• 4.2 Разработка топологии кристалла
• 5. Разработка технологии изготовления кристалла
• Заключение

Похожие материалы

• 11 Общая характеристика малошумящих усилителей
• Усилители радиочастот – мшу
• 6.6Особенности применения полевых арсенид-галлиевых свч транзисторов в малошумящем усилителе
• 6.5Структура предварительного малошумящего усилителя сигналов свч
• Лекция №20 малошумящие усилители
• Тема 2.4. Малошумящие усилители
• Чувствительный микрофон с усилителем на малошумящих транзисторах
• 4.3. Малошумящие усилители.
• Малошумящий усилитель (мшу)