4.1.1 Расчет геометрических размеров конденсаторов
Пленочные конденсаторы представляют собой трехслойную М-Д-М структуру.
При функциональном проектировании усилителя получили следующие значения конденсаторов
.
Рассчитаем геометрические размеры конденсатора С1.
Примем разброс номиналов ДС=20%, расстояние между краями верхней и нижней обкладок ДLвн=0,2 мкм, расстояние между краем диэлектрика и краем нижней обкладки ДLдн=0,2 мкм, погрешность линейных размеров dLvn=0,2 мкм. В качестве диэлектрика выберем SiO2.
Рассчитаем минимальную толщину диэлектрика:
, (5.1)
где kz - коэффициент запаса (2ч3);
Up - рабочее напряжение (В);
Ed - электрическая прочность диэлектрика (6·108 В/м).
.
Так как данное значение толщины диэлектрика не может быть получено, то выберем в качестве толщины минимально возможное значение .
, (5.2)
Найдем погрешность в геометрических размерах верхних обкладок конденсатора да:
, (5.3)
, (5.4)
где kf - коэффициент формы.
Значение
обеспечивает заданное Uр и требуемое значение дА. Емкость С0 определяет геометрические размеры конденсатора.
Найдем площадь конденсатора Аво по формуле:
, (5.5)
Найдем длину верхней обкладки Lво:
, (5.6)
Длина нижней обкладки Lно:
, (5.7)
Длина диэлектрика Lд:
. (5.8)
Аналогично рассчитаем геометрические размеры конденсатора по формулам (5.4) - (5.8) и получим:
,
,
,
.
Конденсатор С3
,
,
,
Конденсатор С4:
,
,
,
.
Конденсатор С5:
,
,
,
.
- Введение
- 1. Анализ технического задания
- 2. Проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки
- 2.1 Определение толщины обедненной области
- 2.2 Определение значения порогового напряжения перекрытия канала
- 3. Функциональное проектирование усилителя
- 3.1 Получение схемы электрической принципиальной
- 3.2 Исследование влияния входного сопротивления на коэффициент шума и другие характеристики ПТШ
- 4. Разработка конструкции и топологии кристалла
- 4.1 Расчет геометрических размеров пассивных элементов
- 4.1.1 Расчет геометрических размеров конденсаторов
- 4.1.2 Расчет геометрических размеров резисторов
- 4.2 Разработка топологии кристалла
- 5. Разработка технологии изготовления кристалла
- Заключение
- 11 Общая характеристика малошумящих усилителей
- Усилители радиочастот – мшу
- 6.6Особенности применения полевых арсенид-галлиевых свч транзисторов в малошумящем усилителе
- 6.5Структура предварительного малошумящего усилителя сигналов свч
- Лекция №20 малошумящие усилители
- Тема 2.4. Малошумящие усилители
- Чувствительный микрофон с усилителем на малошумящих транзисторах
- 4.3. Малошумящие усилители.
- Малошумящий усилитель (мшу)