Малошумящий интегральный усилитель

контрольная работа

5. Разработка технологии изготовления кристалла

Кристалл выполняется на пластине ni-n-n+ - GaAs. После того как исходную пластину химически обработали, стравливают n+ слой для формирования стоков, истоков, омических контактов и резистора R3 (рисунок П2). С помощью второго шаблона стравливают n слой для получения остальных резисторов в этом слое (рисунок П3).

Для изоляции активных областей и получения слоя диэлектрика в конденсаторах наносим слой SiO2 толщиной 0,05 мкм. Этот процесс происходит с применением шаблона изображенного на рисунок П4.

Защитный рельеф в слое SiO2 (рисунок П5) позволяет травить канавки в GaAs до достижения толщины активной области под затвором, обеспечивающей необходимое напряжение перекрытия канала.

Затворы ПТШ формируются методом обратной фотолитографии. Напылению материала затвора (слой Ta-Au толщиной 1.2 мкм) предшествует травление канавок в GaAs (до достижения толщины активной области под затвором, обеспечивающей необходимое напряжение перекрытия канала). Одновременно с напылением в канавки, материал затвора осаждается на контактные площадки и проводники межэлементных соединений (первый слой металлизации (рисунок П6)). После этого производится отжиг структуры в среде азота при температуре 350 С в течение 5 минут.

Для создания второго слоя металлизации (соединения истоковых контактов и др.), сначала на всю поверхность пластины наносится SiO2. После вскрытия окон (рисунок П7) над контактами напыляется слой V-Au, с помощью фоторезиста вскрываются окна над контактными площадками и проводниками межсоединений (рисунок П8). В окна осаждается слой золота толщиной 1.2 мкм и фоторезист удаляется.

Делись добром ;)