Заключение
В ходе данной работы был спроектирован усилитель, обеспечивающий выполнение характеристик, описанных в задании. Усилитель обеспечивает усиление более чем на 40 дБ в полосе частот от 1 до 2 ГГц. Так же в ходе работы была разработана технология изготовления интегральной микросхемы и снабжена фотолитографическими шаблонами.
При проектировании малошумящего усилителя были изучены приемы схемотехнического проектирования в программе P Spice. Кроме того в работе были использованы следующие программные продукты: математический пакет MathCAD 2001, текстовый редактор Microsoft Word XP, система КОМПАС 3D LT и P-CAD 2001.
Список используемой литературы
1. Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. - М.: Радио и связь, 1992. - 320 с.
2. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - М.: Радио и связь, 1987. - 464 с.
3. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. - М.: Мир, 1991. - 632 с.
4. Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и PSPICE для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Выпуск 2. - М.: Радио и связь. - 1992. - 72 с.
5. Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и PSPICE для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Выпуск 3. - М.: Радио и связь. - 1992. - 120 с.
- Введение
- 1. Анализ технического задания
- 2. Проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки
- 2.1 Определение толщины обедненной области
- 2.2 Определение значения порогового напряжения перекрытия канала
- 3. Функциональное проектирование усилителя
- 3.1 Получение схемы электрической принципиальной
- 3.2 Исследование влияния входного сопротивления на коэффициент шума и другие характеристики ПТШ
- 4. Разработка конструкции и топологии кристалла
- 4.1 Расчет геометрических размеров пассивных элементов
- 4.1.1 Расчет геометрических размеров конденсаторов
- 4.1.2 Расчет геометрических размеров резисторов
- 4.2 Разработка топологии кристалла
- 5. Разработка технологии изготовления кристалла
- Заключение