Малошумящий интегральный усилитель

курсовая работа

2.3 Определение геометрических размеров полевого транзистора Шоттки

С помощью программы визуального схемотехнического моделирования PSPICE, были получены геометрические размеры полевого транзистора с затвором Шоттки, который является основным элементом усилителя. Количество запараллеленых структур (затворов, истоков, стоков) в данном транзисторе десять. Это позволяет достичь достаточно большого усиления на высоких частотах.

Рисунок 2.2 - Транзистор Шоттки

Таблица 2.1 - Геометрические размеры полевого транзистора с затвором Шоттки

Параметры

Значения, мкм

Толщина пленок

толщина металлизации затвора hmg

1.2

толщина металлизации истока hms

1.4

толщина металлизации стока hmd

1.4

Полупроводниковая структура

толщина эпитаксиального N - слоя an

0.1

толщина канала под затвором ak

0.06

толщина эпитаксиального N+ - слоя an+

0.2

Планарные размеры

ширина затвора (длина пальца затвора) W

30

длина затвора (ширина пальца затвора) L

0.2

ширина пальцев истока Ls

20

ширина пальцев стока Ld

20

Расстояния

расстояние от края затвора до края истока Lsg

2

расстояние от края затвора до края стока Ldg

2

расстояние от края истока до лунки затвора Lsn

1.75

расстояние от края стока до лунки затвора Ldn

1.75

Делись добром ;)