Похожие главы из других работ:
Малошумящий интегральный усилитель
...
Малошумящий интегральный усилитель
С помощью пакета PSPICE получены геометрические размеры полевого транзистора с затвором Шоттки, который является основным элементом усилителя. Количество параллельных структур (затворов, истоков, стоков) в данном транзисторе десять...
Малошумящий интегральный усилитель
...
Малошумящий интегральный усилитель
...
Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя
Расчет геометрических размеров n-p-n транзистора производится в соответствии с методикой приведенной в пункте 2.1., следовательно, все расчет производятся исходя из размеров области эмиттера...
Полевые транзисторы
Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем...
Полевые транзисторы
Рис.3. Схемы включения полевого транзистора.
Полевой транзистор в качестве элемента схемы представляет собой активный несимметричный четырехполюсник, у которого один из зажимов является общим для цепей входа и выхода. В зависимости от того...
Полевые транзисторы
Рис. 4. Эквивалентная схема полевого транзистора.
Эквивалентная схема полевого транзистора, элементы которой выражены через у-параметры, приведен на рис.4. При таком подключении каждая из проводимости имеет физический смысл...
Полевые транзисторы
Входная проводимость определяется проводимостью участка затвор - исток уЗИ...
Проектирование отражательного клистрона
Чтобы выбрать оптимальную форму резонатора учтем, что свойства резонатора должны удовлетворять нужным требованиям, учесть величину электрического потока лампы. Исходя из этого, выбираем тороидальный резонатор...
Разработка аппаратно-программных средств микропроцессорной системы
Полевой транзистор (ПТ) - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком подвижных носителей заряда одного знака (или электронов, или дырок) через проводящий канал...
Разработка зеркальной параболической антенны с рупорным облучателем
Для определения геометрических размеров и ДН зеркала будем пользоваться аппроксимирующей функцией и табличными данными...
Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
Рис. 64. Схема моделирования передаточной характеристики p-канального полевого транзистора с p-n переходом в качестве затвора
Параметры моделирования:
.DC LIN V_V1 0 20 0.0001
.STEP V_V2 LIST 5 10
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC "..SCHEMATIC1.net"
Рис. 65...
Расчет антенн
Для прямолинейного тонкого вибратора с круглым поперечным сечением и длиной, близкой к реактивное сопротивление можно определить по формуле:
, (3.1)
где а - радиус поперечного сечения вибратора...
Расчет однозеркальной параболической антенны
B случае параболоида вращения, изображенного на рисунке 2, плоскость раскрыва (плоскость...