Малошумящий интегральный усилитель
5. Разработка технологии изготовления кристалла
Рисунок 5.1 - Технологическая схема изготовления ИМС на ni-n-n+-GaAs
Увеличение плотности печатного монтажа, тенденция к автоматизации технологических процессов изготовления печатных плат...
Исходными данными являются принципиальная электрическая схема с заданным расположением контактных площадок и геометрические размеры элементов. На этом этапе решаются такие вопросы...
Кристалл выполняем на пластине ni - n - n+ - GaAs Технология очистки поверхности кристалла 1. На начальном этапе очистки производится так называемое обезжиривание поверхности - удаления жиров, масел, восков, смол...
Рисунок 6.1 - Схемы контактного (а) и проекционного (б) экспонирования: 1 - ртутная лампа; 2 - конденсор; 3 - фотошаблон, 4 - фоторезист; 5 - подложка; б - столик, 7 - светофильтр; 8 - объектив. Рисунок 6...
...
Наиболее важной стадией проектирования полупроводниковых ИМС является трансформация их электрической схемы в топологическую...
Наиболее важной стадией проектирования полупроводниковых ИМС является трансформация их электрической схемы в топологическую. При этом определяются взаимное расположение элементов и их коммутация...
Рисунок 5...
Расчёт потребляемой мощности Каждый электрорадиоэлемент блока системы потребляет электрическую энергию от источника питания. Суммарная мощность, потребляемая всеми ЭРЭ блока памяти, определяет ток...
Схема электрическая принципиальная разработана на основе биполярных транзисторов, поэтому примем структуру кристалла изготовляемую по стандартной эпитаксиально - плонарной биполярной техпологии...
Для разработки топологии кристалла необходимо учитывать следующее: должна быть выбрана оптимальная конфигурация размещения областей; каждая область должна занимать как можно меньшую площадь; если в результате разработки топологии остались...
В данном датчике перемещения чувствительным элементом является магнитодиод. Но магнитодиод сам по себе «не дееспособен». Для его нормальной работы была составлена схема электрическая принципиальная усилителя...
Для разработки топологии кристалла необходимо учитывать следующее: должна быть выбрана оптимальная конфигурация размещения областей; каждая область должна занимать как можно меньшую площадь; если в результате разработки топологии остались...
В данном датчике перемещения чувствительным элементом является магнитодиод. Но магнитодиод сам по себе «не дееспособен». Для его нормальной работы была составлена схема электрическая принципиальная усилителя...
Полупроводниковая интегральная схема изготовлена по изопланарной технологии, суть которой заключается в создании изолированных областей для отдельных элементов...