Малошумящий интегральный усилитель
5.11 Соединение стоков
- Нанесение позитивного фоторезиста и сушка пластины, совмещение фотошаблона 10 (экспонирование не заштрихованной области, приложение 11) с поверхностью пластины, облучение ультрафиолетовым излучением, проявление фоторезиста и задубливание;
- Напыление ионно-плазменным методом слоя SiO2 толщиной 0,1 мкм;
- Удаление фоторезиста.
- Нанесение позитивного фоторезиста и сушка пластины, совмещение фотошаблона 11 (экспонирование не заштрихованной области, приложение 12) с поверхностью пластины, облучение ультрафиолетовым излучением, проявление фоторезиста и задубливание;
- Травление слоя SiO2 раствором HF : (NH4F 40%-водного раствора) = 32:2,5;
- Удаление фоторезиста.
- Нанесение позитивного фоторезиста и сушка пластины, совмещение фотошаблона 12 (экспонирование не заштрихованной области, приложение 13) с поверхностью пластины, облучение ультрафиолетовым излучением, проявление фоторезиста и задубливание;
- Напыление ионно-плазменным методом слоя Ta-Au толщиной 0,1 мкм;
- Удаление фоторезиста.