Малошумящий интегральный усилитель

курсовая работа

5.12 Создание защитного слоя диэлектрика

- Напыление ионно-плазменным методом слоя SiO2 толщиной 0,2 мкм;

- Нанесение позитивного фоторезиста и сушка пластины, совмещение фотошаблона 13 (экспонирование не заштрихованной области, приложение 14) с поверхностью пластины, облучение ультрафиолетовым излучением, проявление фоторезиста и задубливание;

- Травление слоя SiO2 раствором HF : (NH4F 40%-водного раствора) = 32:2,5;

Делись добром ;)