Похожие главы из других работ:
Защита информации от утечки по цепям питания
Защитное действие заземления основано на двух принципах:
Уменьшение до безопасного значения разности потенциалов между заземляемым проводящим предметом и другими проводящими предметами, имеющими естественное заземление...
Исследование электрофизических параметров полупроводниковых материалов
При исследованиях и разработке ИС контролируется большое число параметров и применяется большое число разнообразных методов. Вследствие того, что диффузионные слои могут быть очень тонкими - порядка единиц микрометров и менее...
Исследование электрофизических параметров полупроводниковых материалов
В технологии производства ИС на основе кремния операция окисления стоит на первом месте, в ходе изготовления ИС эта операция повторяется несколько раз...
Малошумящий интегральный усилитель
- Методом вакуумного термического напыления наносится сплошной слой Cu толщиной 0,3 мкм;
- Нанесение позитивного фоторезиста и сушка пластины, совмещение фотошаблона 3 (экспонирование не заштрихованной области...
Металлобумажные конденсаторы
Все конденсаторы можно разделить на группы: с органическим, неорганическим, газообразным и оксидным диэлектриком.
Рисунок 2...
Металлобумажные конденсаторы
Устранение недостатков, связанных с наличием зазора между диэлектриком и обкладкой, можно осуществить с помощью металлизации диэлектрика, то есть непосредственным нанесением тонкого слоя металла на поверхность материала...
Основы фотолитографического процесса
Одной из важнейших стадий является совмещение изображений на шаблоне и подложке. В любом фотолитографическом методе -- контактном, проекционном, и в методе сканирующего луча -- необходимым отправным пунктом является некоторый шаблон...
Проектирование комбинационной схемы проверки четности 2-х байтовой посылки
Для выращивания эпитаксиального слоя кремния используем метод, основанный на пиролитическом разложении силана:
При проведении эпитаксии нужно минимализировать температуру процесса...
Проектирование электропитания устройств связи и автоматики
Для защиты обслуживающего персонала проведем расчет защитного контура заземления и двух измерительных электродов...
Радиолокационные установки
Пусть плоская волна падает нормально на границу I плоского слоя диэлектрика (рисунок 1.3, а). Часть энергии волны отразится от границы I и будет распространяться в обратном направлении...
Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение технологических режимов его изготовления
Толщина ЭС определяется исходя из соотношения:
hЭСmin = xjК-Б+W0+?сс, (3.1)
где xjК-Б - глубина залегания p-n-перехода коллектор-база; W0 - ширина ООЗ p-n-перехода при рабочем напряжении (напряжении пробоя); ?сс - величина расплывания СС в ЭС...
Расчет систем сотовой связи
...
Технология изготовления интегральной схемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)
В данном курсовом проекте для создания скрытого слоя будет использоваться Мышьяк (As). Так как диффузия скрытого слоя осуществляется на глубину 2 мкм, то она будет состоять из двух этапов: разгонки и загонки...
Типовые процессы изготовления интегральных микросхем
Рисунок 19 - Нанесение защитного слоя...
Типовые процессы изготовления интегральных микросхем
Данная операция предназначена для создания оксидной пленки на поверхности кремниевой подложки.
Технологический процесс:
Операция выполняется в соответствии с п 2.2 пояснительной записки.
2...