Заключение
Разработка принципиальной электрической схемы ИМС производится в соответствии с техническими требованиями, с учетом технологических возможностей и ограничений. В качестве исходных данных используются электрические параметры активных элементов, определенные на предыдущем этапе.
Основной этап проектирования ИМС - разработка топологии - производится в следующей последовательности:
1) Получение и согласование исходных данных
2) Расчет геометрических размеров элементов
3) Разработка эскиза топологии
4) Разработка предварительного варианта топологии
5) Оценка качества топологии и ее оптимизация
По принципиальной электрической схеме определяется перечень активных и пассивных элементов, формулируются требования к отдельным элементам. К конструктивным исходным данным относятся порядок расположения на кристалле контактных площадок и предполагаемая конструкция корпуса.
Литература
1. Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. - М.: Радио и связь, 2010. - 320 с.
2. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - М.: Радио и связь, 2007. - 464 с.
3. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. - М.: Мир, 2001. - 632 с.
4. Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и PSPICE для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Выпуск 2. - М.: Радио и связь. - 2012.- 72 с.
5. Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и PSPICE для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Выпуск 3. - М.: Радио и связь. - 2012.-120 с.
- Введение
- 1. Анализ технического задания
- 2. Проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки
- 2.1 Определение толщины обедненной области
- 2.2 Определение значения порогового напряжения перекрытия канала
- 2.3 Определение геометрических размеров полевого транзистора Шоттки
- 3. Функциональное проектирование усилителя
- 3.1 Получение схемы электрической принципиальной
- 3.2 Исследование влияния сопротивления нагрузки на коэффициент шума и другие характеристики ПТШ
- 4. Разработка конструкции и топологии кристалла
- 4.1 Расчет геометрических размеров конденсаторов
- 4.2 Расчет геометрических размеров резисторов
- 4.3 Разработка топологии кристалла
- 5. Разработка технологии изготовления кристалла
- 5.1 Технологическая очистка поверхности кристалла
- 5.2 Формирование резисторов и транзисторов в n и n+ слоях
- 5.3 Создание резисторов и нижних обкладок конденсатора
- 5.4 Создание слоя диэлектрика Та2O5 в конденсаторах
- 5.5 Напыление SiO2
- 5.6 Создание верхних обкладок конденсаторов
- 5.7 Создание окон для затворов и омических контактов
- 5.8 Создание затворов
- 5.9 Создание омических контактов
- 5.10 Создание проводящих дорожек и контактных площадок
- 5.11 Соединение стоков
- 5.12 Создание защитного слоя диэлектрика
- Заключение