1.3 Расчет геометрических размеров слоев выпрямительного элемента

Структура выпрямительного элемента диода схематически изображена на рисунке 1.3.1.

Рисунок 1.3.1. Структура выпрямительного элемента.

Большинство выпрямительных диодов в приконтактных областях имеют сильнолегированные слои n⁺ и р⁺ типа, которые играют двоякую роль.

Во-первых, они необходимы для уменьшения сопротивления омических контактов, особенно при использовании высокоомных исходных материалов. Эти слои также ослабляют инжекционные свойства омических контактов, улучшая их качество. Для достижения указанных целей достаточно иметь сильнолегированные слои толщиной 30 -- 50 мкм [1].

Во-вторых, сильнолегированные слои в высоковольтных диодах ограничивают расширение области объемного заряда в базовые области, что бывает необходимо для уменьшения толщины базовых областей. В высоковольтных диодах при свободном расширении толщина области объемного заряда при пробое очень большая. Чтобы падение напряжения на диоде в прямом направлении было приемлемым, нужно увеличивать время жизни дырок в n-базе. А это требует специальных мер, в связи, с чем разумно ограничить расширение области объемного заряда в n-базу созданием сильнолегированного n⁺ - слоя.

Расчет геометрических размеров слоев диффузионного выпрямительного элемента сравнительно легко можно провести, используя приближение экспоненциального перехода.

Параметры аппроксимации л и N₀ и глубина залегания диффузионного перехода связаны между собой соотношениями (1.2.3) -- (1.2.6), из которых видно, что, изменяя условия проведения процесса диффузии (Dt), можно влиять на глубину залегания р -- n-перехода, даже если параметры л и N₀ заданы (определены). То есть глубина залегания р -- n-перехода может варьироваться. В выпрямительных диодах она обычно составляет несколько десятков микрон.

При небольшой глубине (до 20 мкм) в меза-структурах с обратной фаской р -- n-переход оказывается расположенным недостаточно далеко от края диска и может быть легко поврежден в процессе изготовления диода. Переходы с глубиной залегания более 100 мкм требуют большой длительности диффузии.

В диффузионных р -- n-переходах, как правило, специально создавать сильнолегированный приконтактный слой в диффузионной области не нужно, так как поверхностная концентрация диффундирующей примеси достаточна для формирования омического контакта с малым сопротивлением. Если же она недостаточна (как, например, при длительной диффузии алюминия в кремний из соленых источников N_s= 5?10¹⁶ см^-3 [1]) то сильнолегированный слой формируется одновременно с диффузией основной примеси (в упомянутом случае диффузией бора). Согласно принятым на рисунке 1.3.1 обозначениям глубина залегания диффузионного р -- n-перехода x_j равна толщине р⁺ слоя.

Выражая из (1.2.2) глубину залегания, получаем:

, (1.3.1)

Величина d_n в диффузионном р -- n-переходе зависит от глубины проникновения области объемного заряда в базовую область при пробое. При известных л и N₀ глубина проникновения определяется с помощью выражения[1]:

, (1.3.2)

Сильнолегированный приконтактный слой, полученный с помощью диффузии, обычно определяется как расстояние от контактной поверхности до плоскости, в которой концентрация легирующей примеси в два раза больше концентрации примеси в исходном кристалле. Для выпрямительных диодов при таком определении х_jn обычно составляет 30 - 50 мкм.

Общая толщина выпрямительного элемента

W = x_j + х_jn + d_n , (1.3.3) должна быть больше 250 -- 300 мкм. С учетом возможных значений х_j и х_jn это означает, что толщина умеренно легированной базовой области d_n должна составлять примерно 150 мкм. Поэтому если l_nB < 150 мкм, то d_n выбирается равной 150 мкм. Если же l_nB > 150 мкм, то расширение области объемного заряда в базу можно ограничить и принять d_n = 0,8 l_nB (но не меньше 150 мкм). Такое 20% ограничение может заметно уменьшить толщину выпрямительного элемента высоковольтных диодов, практически не изменяя напряжение пробоя. Поэтому при ограничении расширения области объемного заряда при пробое не требуется никакого пересчета напряжения пробоя.