12 Выпрямительные диоды
Выпрямительный диод предназначен для преобразования переменного тока в постоянный. Используется свойство односторонней проводимости р-n-перехода. Электрод с большей концентрацией основных носителей называется- эмиттером (Э), электрод с меньшей концентрацией основных носителей – базой (Б).
В большинстве случаев выпрямительные диоды являются плоскостными, причем р-n-переход германиевых диодов создают исключительно сплавным методом, а для изготовления кремниевых диодов используют сплавной и диффузионный методы. Для получения больших значений выпрямленных токов в выпрямительных диодах используют электронно-дырочные переходы с большой площадью, поскольку для нормальной работы диода плотность тока через переход не должна превышать 1…2 А/мм2.
Основной характеристикой выпрямительного диода является его вольт-амперная характеристика. На рисунке 4.1 приведены ВАХ р-n-перехода (1) или теоретическая и диода (2) или реальная.
Рисунок 4.1
С повышением температуры напряжение пробоя увеличивается из-за теплового рассеяния подвижных носителей и уменьшения средней длины их свободного пробега в р-п переходе до пробоя.
Основными параметрами выпрямительных полупроводниковых диодов являются:
постоянное прямое напряжение Uпр при заданном прямом токе Iпр;
максимально допустимое обратное напряжение Uобр max, при котором диод еще может нормально работать длительное время;
постоянный обратный ток Iобр, протекающий через диод при обратном напряжении Uобр max;
средний выпрямленный ток Iвп ср, который может длительно проходить через диод при допустимой температуре нагрева;
максимально допустимая мощность Pmax, рассеиваемая диодом, при котором обеспечивается заданная надежность диода.
По максимально допустимому значению среднего выпрямленного тока Iвп ср диоды делятся на маломощные (менее 0,3 А), средней мощности (0,3…10 А) и большой мощности (более 10 А). Выпрямительные диоды большой мощности называются силовыми.
- 1 Собственная электропроводность.
- 2. Примесные полупроводники. Полупроводники p,n типа.
- 6. Прямое включение p-n перехода.
- 7. Обратное включение p-n перехода.
- 8. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Идеальная и реальная вах p-n перехода.
- 9. Ёмкости p-n перехода. Диффузионная ёмкость. Барьерная ёмкость.
- 11.Контакт металл-полупроводник, выпрямляющий и невыпрямляющий.
- 12 Выпрямительные диоды
- 13. Соединение вентилей.
- 14. Импульсные диоды
- 15. Стабилитрон.
- 16. Варикап.
- 17. Диоды Шоттки
- 19 18. Туннельные и обращенные диоды. Принцип действия, параметры и характеристики.
- Обращенные диоды
- 21. Устройство биполярного транзистора.
- 22. Принцип действия транзистора в активном режиме
- 23. Токи в транзисторе
- 25. Схема включения транзистора с общей базой, основные параметры.
- 26.Статические характеристики транзистора с общей базой.Особенности схемы с общей базой. Достоинства и недостатки.
- 29.30.Статистические х-ки транзистора с оэ. Схема включения транзистора с общим эмиттером, основные параметры.
- 31. Схема включения транзистора с общим коллектором, основные параметры.
- 33 32. Основные параметры биполярных транзисторов.
- 35. Модель Эберса- Мола
- 36. Зависимость коэффициента передачи тока от частоты в схеме с общей базой [α(ω)].
- 36. Зависимость коэффициента передачи тока от частоты в схеме с общим эмиттером [β(ω)].
- 37. Дрейфовый транзистор
- 38. Полевой транзистор с р-n переходом.
- 39. Основные характеристики полевых транзисторов
- 40. Основные параметры полевых транзисторов
- 42. Полевой тр-р с изолированным затвором с встроенным каналом.
- 43. Полевой тр-р с изолированным затвором с индуцированным каналом.
- 45, Динистор.
- 48. Однопереходный транзистор.
- 49. Световод инжекционный
- 50. Светодиоды. Устройство и принцип действия.
- 51. Фотоприемники. Фоторезисторы.
- 52. Фототранзистор, фототиристор
- 53. Оптроны. Конструкция и принцип действия. Разновидности и сравнительная характеристика.
- 54. Интегральные микросхемы. Принцип построения. Технологические приемы реализации. Применение.
- 56. Фотолитография. Металлизация.
- 57. Гибридные микросхемы. Принцип построения. Технологические приемы реализации. Применение.
- 59. Способы изоляции м/у компонентами имс и их особенности.
- 60. Интегральные транзистор, диод, резистор, конденсатор
- 61. Совмещенные ис
- 64.Приборы с зарядовой связью.
- 66. Цифровые ис. Основные параметры.
- 63. Транзисторы с инжекционным питанием.