8. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Идеальная и реальная вах p-n перехода.
ВАХ называется зависимость тока (I), протекающего через p-n переход от приложенного к нему напряжения (U).
В некоторых случаях уравнение ВАХ удобно представлять в виде уравнения относительно тока.
Полученная зависимость ВАХ показана на рисунке 1.15а. Как видно на рисунке, при неизменном масштабе тока и напряжения, зависимость проходит близко к оси тока при прямом включении (1-квандрант) и к оси напряжения при обратном включении. Это говорит о том, что при прямом включении переход обладает хорошей проводимостью, а при обратном – высоким сопротивлением. Если приложенное прямое напряжение заметно превышает величину температурного потенциала, то прямая ветвь ВАХ аппроксимируется чистой экспонентой.
Если обратное напряжение достаточно большое, (U/fi)<<1/ При этом I = I0. Следовательно обратная ветвь аппроксимируется прямолинейной зависимостью с постоянным уровнем тока.
Теоретическая ВАХ называется идеальной. Реальная характеристика несколько отличается идеальной в силу ряда причин не уточненных в теоретической ВАХ.
Например, причина отклонения может служить конечное значение сопротивления слоя высокоомной части перехода. Причинами отклонения прямой ветви ВАХ от идеальной могут служить также изменение температуры, высокий уровень инжекции и ряд других причин.
Обратная ветвь реальной ВАХ также имеет ряд отклонений от теоретической.
Наличие токов утечек.
Влияние термогенерации. С увеличением температуры в обедненной свободными носителями области p-n перехода образуются дополнительные электронно-дырочные пары. Они увеличивают обратный ток.
Лавинный пробой.
- 1 Собственная электропроводность.
- 2. Примесные полупроводники. Полупроводники p,n типа.
- 6. Прямое включение p-n перехода.
- 7. Обратное включение p-n перехода.
- 8. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Идеальная и реальная вах p-n перехода.
- 9. Ёмкости p-n перехода. Диффузионная ёмкость. Барьерная ёмкость.
- 11.Контакт металл-полупроводник, выпрямляющий и невыпрямляющий.
- 12 Выпрямительные диоды
- 13. Соединение вентилей.
- 14. Импульсные диоды
- 15. Стабилитрон.
- 16. Варикап.
- 17. Диоды Шоттки
- 19 18. Туннельные и обращенные диоды. Принцип действия, параметры и характеристики.
- Обращенные диоды
- 21. Устройство биполярного транзистора.
- 22. Принцип действия транзистора в активном режиме
- 23. Токи в транзисторе
- 25. Схема включения транзистора с общей базой, основные параметры.
- 26.Статические характеристики транзистора с общей базой.Особенности схемы с общей базой. Достоинства и недостатки.
- 29.30.Статистические х-ки транзистора с оэ. Схема включения транзистора с общим эмиттером, основные параметры.
- 31. Схема включения транзистора с общим коллектором, основные параметры.
- 33 32. Основные параметры биполярных транзисторов.
- 35. Модель Эберса- Мола
- 36. Зависимость коэффициента передачи тока от частоты в схеме с общей базой [α(ω)].
- 36. Зависимость коэффициента передачи тока от частоты в схеме с общим эмиттером [β(ω)].
- 37. Дрейфовый транзистор
- 38. Полевой транзистор с р-n переходом.
- 39. Основные характеристики полевых транзисторов
- 40. Основные параметры полевых транзисторов
- 42. Полевой тр-р с изолированным затвором с встроенным каналом.
- 43. Полевой тр-р с изолированным затвором с индуцированным каналом.
- 45, Динистор.
- 48. Однопереходный транзистор.
- 49. Световод инжекционный
- 50. Светодиоды. Устройство и принцип действия.
- 51. Фотоприемники. Фоторезисторы.
- 52. Фототранзистор, фототиристор
- 53. Оптроны. Конструкция и принцип действия. Разновидности и сравнительная характеристика.
- 54. Интегральные микросхемы. Принцип построения. Технологические приемы реализации. Применение.
- 56. Фотолитография. Металлизация.
- 57. Гибридные микросхемы. Принцип построения. Технологические приемы реализации. Применение.
- 59. Способы изоляции м/у компонентами имс и их особенности.
- 60. Интегральные транзистор, диод, резистор, конденсатор
- 61. Совмещенные ис
- 64.Приборы с зарядовой связью.
- 66. Цифровые ис. Основные параметры.
- 63. Транзисторы с инжекционным питанием.