1 Собственная электропроводность.
По своей структуре полупроводники представляют собой совершенную кристаллическую решетку. У полупроводников германия и кремния валентность, как известно 4, что соответствует количеству свободных электронов. В кристаллической решетки они образуют ковалентную связь, что означает – по внешней орбите каждого атома вращаются всего по 8 электронов.Как образуется в такой структуре ток?
Допустим, что какой-то е, получив соответствующую порцию энергии покинул свой атом. Этот электрон оказывается несвязанным и обладает способностью перемещаться по кристаллической решетке свободно. Такие электроны называются электронами проводимости. При этом проводимость п\п наз е. На пустом месте образуется незаполненная связь, возникает некомпенсированный положительный заряд, равный по величине заряду электрона. Пустое место называется дыркой, а проводимость дырочной. Процесс образования свободных электронов и дырок называется генерацией, а обратный процесс- возвращение электронов из зоны проводимости в валентную – рекомбинацией.
В узлах кристаллической решетки рассмотренного полупроводника находятся только собственные электроны и атомы, поэтому принято их называть собственными. У такого чистого полупроводника ток образуется разрушением ковалентной связи. При этом концентрация электронов и дырок устанавливается как результат динамического равновесия двух выше указанных процессов: процесс генерации подвижных носителей и процесс их рекомбинации. По аналогии, проводимость такого полупроводника называется собственной. Она незначительна. Применение в технике собственные полупроводники не нашли.
- 1 Собственная электропроводность.
- 2. Примесные полупроводники. Полупроводники p,n типа.
- 6. Прямое включение p-n перехода.
- 7. Обратное включение p-n перехода.
- 8. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Идеальная и реальная вах p-n перехода.
- 9. Ёмкости p-n перехода. Диффузионная ёмкость. Барьерная ёмкость.
- 11.Контакт металл-полупроводник, выпрямляющий и невыпрямляющий.
- 12 Выпрямительные диоды
- 13. Соединение вентилей.
- 14. Импульсные диоды
- 15. Стабилитрон.
- 16. Варикап.
- 17. Диоды Шоттки
- 19 18. Туннельные и обращенные диоды. Принцип действия, параметры и характеристики.
- Обращенные диоды
- 21. Устройство биполярного транзистора.
- 22. Принцип действия транзистора в активном режиме
- 23. Токи в транзисторе
- 25. Схема включения транзистора с общей базой, основные параметры.
- 26.Статические характеристики транзистора с общей базой.Особенности схемы с общей базой. Достоинства и недостатки.
- 29.30.Статистические х-ки транзистора с оэ. Схема включения транзистора с общим эмиттером, основные параметры.
- 31. Схема включения транзистора с общим коллектором, основные параметры.
- 33 32. Основные параметры биполярных транзисторов.
- 35. Модель Эберса- Мола
- 36. Зависимость коэффициента передачи тока от частоты в схеме с общей базой [α(ω)].
- 36. Зависимость коэффициента передачи тока от частоты в схеме с общим эмиттером [β(ω)].
- 37. Дрейфовый транзистор
- 38. Полевой транзистор с р-n переходом.
- 39. Основные характеристики полевых транзисторов
- 40. Основные параметры полевых транзисторов
- 42. Полевой тр-р с изолированным затвором с встроенным каналом.
- 43. Полевой тр-р с изолированным затвором с индуцированным каналом.
- 45, Динистор.
- 48. Однопереходный транзистор.
- 49. Световод инжекционный
- 50. Светодиоды. Устройство и принцип действия.
- 51. Фотоприемники. Фоторезисторы.
- 52. Фототранзистор, фототиристор
- 53. Оптроны. Конструкция и принцип действия. Разновидности и сравнительная характеристика.
- 54. Интегральные микросхемы. Принцип построения. Технологические приемы реализации. Применение.
- 56. Фотолитография. Металлизация.
- 57. Гибридные микросхемы. Принцип построения. Технологические приемы реализации. Применение.
- 59. Способы изоляции м/у компонентами имс и их особенности.
- 60. Интегральные транзистор, диод, резистор, конденсатор
- 61. Совмещенные ис
- 64.Приборы с зарядовой связью.
- 66. Цифровые ис. Основные параметры.
- 63. Транзисторы с инжекционным питанием.