estau_shpory / estau_shpory
13. Соединение вентилей.
Для получения больших допустимых напряжений, выпрямительные диоды соединяют последовательно. Но для равномерного распределения обратного напряжения им параллельно включают выравнивающие резисторы. Для увеличения прямого тока диодов их необходимо соединить параллельно. При этом возникает необх-ть выравнивания токов, для чего последовательно с каждым диодом включается.
Токи мощных диодов выравнивают с помощью индуктивных делителей.
Однополупериодная схема выпрямления:
Двухполупериодная схема (Мостовая):
Если параллельно нагрузке включить ёмкость, то сигнал примет более сглаженную форму, причём чем больше емкость, тем сигнал более постоянный.
Содержание
- 1 Собственная электропроводность.
- 2. Примесные полупроводники. Полупроводники p,n типа.
- 6. Прямое включение p-n перехода.
- 7. Обратное включение p-n перехода.
- 8. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Идеальная и реальная вах p-n перехода.
- 9. Ёмкости p-n перехода. Диффузионная ёмкость. Барьерная ёмкость.
- 11.Контакт металл-полупроводник, выпрямляющий и невыпрямляющий.
- 12 Выпрямительные диоды
- 13. Соединение вентилей.
- 14. Импульсные диоды
- 15. Стабилитрон.
- 16. Варикап.
- 17. Диоды Шоттки
- 19 18. Туннельные и обращенные диоды. Принцип действия, параметры и характеристики.
- Обращенные диоды
- 21. Устройство биполярного транзистора.
- 22. Принцип действия транзистора в активном режиме
- 23. Токи в транзисторе
- 25. Схема включения транзистора с общей базой, основные параметры.
- 26.Статические характеристики транзистора с общей базой.Особенности схемы с общей базой. Достоинства и недостатки.
- 29.30.Статистические х-ки транзистора с оэ. Схема включения транзистора с общим эмиттером, основные параметры.
- 31. Схема включения транзистора с общим коллектором, основные параметры.
- 33 32. Основные параметры биполярных транзисторов.
- 35. Модель Эберса- Мола
- 36. Зависимость коэффициента передачи тока от частоты в схеме с общей базой [α(ω)].
- 36. Зависимость коэффициента передачи тока от частоты в схеме с общим эмиттером [β(ω)].
- 37. Дрейфовый транзистор
- 38. Полевой транзистор с р-n переходом.
- 39. Основные характеристики полевых транзисторов
- 40. Основные параметры полевых транзисторов
- 42. Полевой тр-р с изолированным затвором с встроенным каналом.
- 43. Полевой тр-р с изолированным затвором с индуцированным каналом.
- 45, Динистор.
- 48. Однопереходный транзистор.
- 49. Световод инжекционный
- 50. Светодиоды. Устройство и принцип действия.
- 51. Фотоприемники. Фоторезисторы.
- 52. Фототранзистор, фототиристор
- 53. Оптроны. Конструкция и принцип действия. Разновидности и сравнительная характеристика.
- 54. Интегральные микросхемы. Принцип построения. Технологические приемы реализации. Применение.
- 56. Фотолитография. Металлизация.
- 57. Гибридные микросхемы. Принцип построения. Технологические приемы реализации. Применение.
- 59. Способы изоляции м/у компонентами имс и их особенности.
- 60. Интегральные транзистор, диод, резистор, конденсатор
- 61. Совмещенные ис
- 64.Приборы с зарядовой связью.
- 66. Цифровые ис. Основные параметры.
- 63. Транзисторы с инжекционным питанием.