59. Способы изоляции м/у компонентами имс и их особенности.

Поскольку все эл-ты делаются в едином полупроводниковом кристалле, то важно обеспечить изоляцию эл-тов от кристалла и друг от друга. Применяется несколько способов изоляции. Наиболее простой и дешевый является изоляция n-p-переходом. В кристалле, например из кремния типа p, методом диффузии делаются области типа n. В n области затем формируются необходимые пассивные или активные элементы, а n-p-переход м/у областью n типа и кристаллом в работающей ИС постоянно находится под обратным напряжением. Кремниевый n-p-переход при обратном напряжении имеет очень высокое сопротивление (несколько МОм), которое и выполняет роль изоляции. Второй вид изоляции – диэлектрическим слоем. Здесь также имеются области n-типа для последующего формирования в них нужных элементов, но м/у областью n типа и кремниевым кристаллом имеется тонкий диэлектрический слой диоксида кремния SiO2. Создание этого слоя значительно усложняет изготовление микросхемы, но изоляция получается значительно лучше, чем n-p-переходом.