Классификация интегральных микросхем

По способу изготовления и получения при этом различной структуры электронного прибора принципиально различают следующие типы интегральных микросхем:

1.Полупроводниковые

2.Пленочные

3.Гибридные

4.Совмещенные

Полупроводниковая интегральная микросхема (ППиМС) – микросхема элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. (элементы созданы в тонком слое полупроводниковой подложки)

Пленочная интегральная микросхема – микросхема элементы которой выполнены в виде разного рода пленок, нанесенных на поверхность диэлектрической подложки. (все элементы находятся на поверхности диэлектрической подложки зависимости от способов нанесения пенок, и связанной с этим их толщиной различают:

1. Толстопленочные ИМС (имеющие толщину пленок 10…20 микрон)

2. Тонкопленочные ИМС (имеющие толщину пленок 1…2 микрон)

Гибридная интегральная микросхема – микросхема, которая представляет собой комбинацию пленочных пассивных элементов и дискретных активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке. Дискретные компоненты входящие в состав гибридных микросхем. Помимо активных компонентов, диодов и транзисторов, навесными могут быть и полупроводниковые интегральные схемы, т.е. компоненты повышенной интегральной сложности.

Совмещенные интегральные микросхемы – схемы в которых сочетаются полупроводниковые и пленочные интегральные элементы . Совмещенная интегральная микросхема – это микросхема в которой активные элементы выполнены в приповерхностном слое полупроводникового кристалла, а пассивные нанесены в виде пленок на предварительно изолированную поверхность того же кристалла, аналогично как у пленочной интегральной микросхемы.