Гибридные интегральные микросхемы (гис)
ГИС делятся на:
1.Толстопленочные
2.Тонкопленочные
Толстопленочные интегральные микросхемы изготавливаются следующим образом:
На диэлектрическую пластинку(подложку) довольно большой площади(несколько сантиметров квадратных) наносят пасты различного состава. Паста – частицы и связующая жидкость. Характерная особенность этого метода в том, что пленка сразу приобретает заданную толщину.
Проводящие пасты обеспечивает межсоединение элементов, обкладки конденсаторов и выводы к штырькам корпуса.
Резистивные – служат для получения резисторов
Диэлектрические – служат для изоляции между обкладками конденсаторов и для общей защиты поверхности ГИС.
Каждый слой должен иметь свою конфигурацию(рисунок) поэтому при изготовлении каждого слоя пасту наносят через свою маску(трафарет), который имеет отверстия в тех местах куда должна попасть паста данного слоя.
Можно выделить следующие особенности характеристик паст:
Механический способ нанесения паст не позволяет делать толщину пленок менее 10-20 микрон, обычно используется толщина порядка 50 микрон. От сюда и название толстопленочная технология или толстопленочные ИМС.
Простота технологии, которая обеспечивает доступность получения ИМС на любых предприятиях.
Механический способ нанесения пленок(слоев) не может обеспечить достаточно малых размеров и допусков на номиналы резисторов и конденсаторов, т.е. прецезионность (точность) параметров элементов.