4.5. Варикапы
При подаче обратного напряжения p-nпереход представляет собой конденсатор, диэлектриком которого служитвысокоомный запирающий слой с низкой концентрацией носителей заряда, а электродами – слои полупроводникового материала по обе стороны от него, сохраняющие высокую проводимость. Ёмкостью такого конденсатора является барьерная емкостьp-nперехода, зависящая от величины обратного напряжения. С увеличением этого напряжения запирающий слой расширяется, что равносильно увеличению расстояния между электродами. Рассмотренный прибор называютварикапом. Зависимость емкости варикапаСВот приложенного обратного напряжения выражается формулой (9), приведенной выше. Дляp-nпереходов с резкой границей эта формула принимает вид
СБАР(U ОБР) = СБАР(0) / (1– U ОБР /0)0,5. (10)
Варикапы используют, главным образом, для управления параметрами колебательных контуров в системах автоподстройки частоты радиоприемных устройств, а также в возбудителях передатчиков с частотной модуляцией и параметрических усилителях.
Рабочая характеристика и условное обозначение варикапа на схемах варикапов даны на рис.14. Там же приведен пример схемы с применением варикапа для перестройки колебательного контура.
Рис. 14. Варикап:
а) рабочая характеристика;
б) условное обозначение;
в) колебательный контур с электрической перестройкой
- Министерство образования и науки украины
- 1. Общие сведения о полупроводниках
- Вопросы и задания
- 2. Собственные и примесные полупроводники
- Вопросы и задания
- 3. Электронно-дырочный переход
- 3.1. Равновесное состояние перехода
- 3.2. Неравновесное состояние перехода
- Вопросы и задания
- 3.3. Вольт-амперная характеристика p-n перехода
- Вопросы и задания
- 4. Диоды
- 4.1. Выпрямительные диоды
- Вопросы и задания
- 4.2. Стабилитроны
- Вопросы и задания
- 4.3. Фотодиоды
- Вопросы и задания
- 4.4. Светодиоды
- Вопросы и задания
- 4.5. Варикапы
- Вопросы и задания
- 4.6. Туннельные и обращённые диоды
- Вопросы и задания
- 4.7. Тиристоры
- Вопросы и задания
- 5. Транзисторы
- 5.1. Биполярные транзисторы
- Вопросы и задания
- 5.2. Полевые транзисторы
- 5.2.1. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
- А) структура транзистора с каналом n-типа; б) условные обозначения на схемах; в) вольт-амперные характеристики
- 5.2.3. Полевые транзисторы со встроенным каналом
- Вопросы и задания
- 6. Транзисторы в схемах радиоэлектронных узлов
- 6.1. Транзисторы в электронных усилителях
- А) обобщенная схема усилителя; б) схема усилителя на биполярном транзисторе; в) схема усилителя на полевом транзисторе
- Вопросы и задания
- 6.2. Транзисторы в автогенераторах
- Вопросы и задания
- 6.3. Транзисторы в модуляторах
- Вопросы и задания
- 6.4. Транзисторы в цифровых схемах
- Вопросы и задания
- 7. Шумы полупроводниковых приборов
- Вопросы и задания
- Список использованной и рекомендованной литературы
- Содержание
- 61077, Харків, майдан Свободи, 4,