3.2. Неравновесное состояние перехода
Состояние перехода становится неравновесным, когда к переходу прикладывается внешнее напряжение. В зависимости от полярности внешнего напряжения потенциальный барьерφповышается или понижается по сравнению с его величинойφ0в равновесном состоянии.
Подключение внешнего источника напряжения плюсом к p-области, а минусом – кn-области (рис. 5а), называют включением p-nпереходавпрямом направлении.НапряжениеU, приложенное к переходу таким образом, называетсяпрямым U = UПР, а протекающий через него токI–прямымтоком I = IПР. Увеличениепрямого напряженияуменьшает и напряженность электрического поля, и контактную разность потенциалов (φ = φ0 – UПР). Обедненный подвижными носителями слой истончается и исчезает.Начинается диффузия основных носителей зарядов – в переход с двух сторон поступают электроны и дырки диффузионного тока, сопротивление перехода уменьшается, величина прямого тока увеличивается.
Рис. 5. Неравновесное состояние перехода:
а) включение перехода в прямом направлении;
б) включение перехода в обратном направлении
Если полярность подключения источника изменить на противоположную (рис. 5б), тогда p-nпереход становится включенным вобратном направлении. НапряжениеU, приложенное к переходу таким образом, называетсяобратным U = UОБР, а протекающий через него токI –обратным током I = IОБР. Увеличениеобратного напряженияусиливает в переходе электрическое поле, увеличивает контактную разность потенциалов (φ = φ0+UОбР) и толщину обедненного слоя. В этом случаедиффузия основных носителей заряда через переход отсутствует и происходит экстракция (отextract– «извлечение») неосновных носителей заряда, ускоряющихся в суммарном поле контактной разности потенциалов и внешнего источника напряжения.Их дрейф создаёт обратный ток p-n перехода. При увеличении обратного напряжения до некоторой величины ток не увеличивается, так как вp-иn-областях число неосновных носителей в единицу времени определяется лишь температурой.
- Министерство образования и науки украины
- 1. Общие сведения о полупроводниках
- Вопросы и задания
- 2. Собственные и примесные полупроводники
- Вопросы и задания
- 3. Электронно-дырочный переход
- 3.1. Равновесное состояние перехода
- 3.2. Неравновесное состояние перехода
- Вопросы и задания
- 3.3. Вольт-амперная характеристика p-n перехода
- Вопросы и задания
- 4. Диоды
- 4.1. Выпрямительные диоды
- Вопросы и задания
- 4.2. Стабилитроны
- Вопросы и задания
- 4.3. Фотодиоды
- Вопросы и задания
- 4.4. Светодиоды
- Вопросы и задания
- 4.5. Варикапы
- Вопросы и задания
- 4.6. Туннельные и обращённые диоды
- Вопросы и задания
- 4.7. Тиристоры
- Вопросы и задания
- 5. Транзисторы
- 5.1. Биполярные транзисторы
- Вопросы и задания
- 5.2. Полевые транзисторы
- 5.2.1. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
- А) структура транзистора с каналом n-типа; б) условные обозначения на схемах; в) вольт-амперные характеристики
- 5.2.3. Полевые транзисторы со встроенным каналом
- Вопросы и задания
- 6. Транзисторы в схемах радиоэлектронных узлов
- 6.1. Транзисторы в электронных усилителях
- А) обобщенная схема усилителя; б) схема усилителя на биполярном транзисторе; в) схема усилителя на полевом транзисторе
- Вопросы и задания
- 6.2. Транзисторы в автогенераторах
- Вопросы и задания
- 6.3. Транзисторы в модуляторах
- Вопросы и задания
- 6.4. Транзисторы в цифровых схемах
- Вопросы и задания
- 7. Шумы полупроводниковых приборов
- Вопросы и задания
- Список использованной и рекомендованной литературы
- Содержание
- 61077, Харків, майдан Свободи, 4,