4.6. Туннельные и обращённые диоды

Принцип действиятуннельных диодовоснован на явлениитуннельного эффектав электронно-дырочном переходе, образованном полупроводниками с высокой концентрацией примеси –вырожденными полупроводниками.Туннельный эффект приводит к появлению участка отрицательной проводимости на ВАХ диода при прямом напряжении. Туннельные диоды применяют для усиления и генерирования электрических колебаний сверхвысоких частот. Вольт-амперная характеристика туннельного диода, его условное обозначение на схемах и схема автогенератора гармонических колебаний на диоде приведены на рис.15а–в.

Разновидностью туннельных диодов являются обращенные диоды, которые также изготавливают их вырожденных полупроводников, но с несколько меньшей концентрацией примесей. При обратном включении обращенные диоды хорошо проводят ток, а при прямом включении (доU_ПР = 0,3 – 0,6 В) ток невелик. Обращенные диоды используют как выпрямительные для обработки сигналов малой амплитуды (до 0,3 – 0,6 В). Вольт-амперная характеристика обращенного диода и его условное обозначение на схемах приведены на рис.15г–д.

Рис. 15. Туннельный и обращенный диоды:

а) рабочий участок ВАХ туннельного диода;

б) его условное обозначение;

в) автогенератор на туннельном диоде;

г) рабочий участок ВАХ обращенного диода;

д) его условное обозначение