Тонкопленочные гибридные интегральные микросхемы

Эта схема изготавливается по более сложной технологии чем толстопленочная интегральная микросхема, для чего используется также специфическое оборудование.

Классическая тонкопленочная технология характерна тем, что пленки осаждаются на подложку из газовой фазы. При этом пленки приобретают свою конечную толщину не сразу, а постепенно. Один слой за другим.

Связь атомов в кристаллической структуре кремния обусловлена специфическими обменными силами, возникающими в результате попарного объединения валентных электронов и смежных атомов. Такая связь, при которой каждый атом является нейтральным называется – ковалентной.

Регулярность структуры кристалла приводит к зависимости его свойств от направления в кристаллической решетке, т.е. анизотропии. Оценивать направление, т.е. ориентироваться в кристаллической решетке принято с помощью кристаллографических осей и перпендикулярным им кристаллографических плоскостей, эти оси и плоскости обозначают трехзначными индексами Миллера.