Разработка каналообразующих устройств[КУРСОВОЙ ПРОЕКТ]
Выбор типа транзистора
Поскольку сопротивления коллекторной и эмиттерной цепи были рассчитаны в пункте 3.2, из которого были получены следующие данные:
Ток базы покоя: IБП=47.34μА
Ток коллектора покоя: Iкп=4.660mA
Напряжение базы покоя: UБП=1.519В
Напряжение база–эмиттер покоя UБЭП=814.0mВ
Напряжение коллектора покоя: Uкп=7.01В
то расчет усилителя по постоянному току сводится к расчету оставшихся сопротивлений R1 и R2.
Содержание
- Курсовой проект по дисциплине:
- На тему:
- Содержание:
- Введение
- Структурная схема каналообразующих устройств телемеханики
- Обоснование вида ам модуляции
- Разработка автогенератора синусоидального сигнала
- Автоколебательная система. Автогенератор
- Структурная схема автогенератора
- Выбор и анализ схемы автогенератора
- Выбор рабочей точки транзистора в режиме класса а. Определение необходимых параметров транзистора
- Статические характеристики транзистора
- Расчет и моделирование усилителя
- Расчет и моделирование усилителя по постоянному току
- Выбор типа транзистора
- Расчет усилителя по постоянному току
- Сравнительная таблица усилительного каскада сигналов постоянного тока с резисторной нагрузкой
- Расчет и моделирование усилителя по переменному току
- Расчет и моделирование индуктивного трехточечного автогенератора
- Заключение
- Моделирование амплитудного манипулятора с пассивной паузой
- Разработка последовательного диодного детектора амплитудно - манипулированного сигнала с пассивной паузой
- Выбор схемы амплитудного демодулятора.
- Выбор элементной базы
- Параметры диода.
- Заключение
- Список использованной литературы