logo
Покровский / УМК ОРЭ ч

Изменение параметров элементов.

  1. Увеличим значение напряжения с 2 В. до 2,3 В. и при включении схемы на осциллографе увидим:

рис. 12 Детектированный АМ – сигнал с измененными параметрами напряжения.

Из этого рисунка мы видим, что увеличилась амплитуда колебаний.

где: Uвх – входное напряжение.

Uвх(t) - напряжение в зависимости от времени.

где M=ΔU/Uн –коэффициент илиглубина амплитудной модуляции.

Ω=2π/T1 –частота модуляции

w0 – частота несущей

T1 – период

  1. Увеличим частоту несущей с 500 кГц до 1000 кГц В и при включении схемы на осциллографе увидим:

рис. 13 Детектированный АМ – сигнал с измененными параметрами несущей частоты.

Из этого рисунка видно, что увеличилась частота несущей.

, где:

w0 – частота несущей,

T0 – период колебаний

  1. Увеличим частоту модуляции с 5 кГц до 50 кГц и при включении схемы на осциллографе увидим:

рис. 14Детектированный АМ – сигнал с измененными параметрами частоты модуляции.

Из этого рисунка мы видим, что увеличилась амплитуда колебаний.

где: Uвх – входное напряжение.

Uвх(t) - напряжение в зависимости от времени.

где M=ΔU/Uн –коэффициент илиглубина амплитудной модуляции.

Ω=2π/T1 –частота модуляции

w0 – частота несущей

T1 – период

  1. Изменим, индекс модуляции с 0,8 до 1. и при включении схемы на осциллографе увидим:

рис. 15 Детектированный АМ – сигнал с измененными параметрами индекса модуляции.

Из этого рисунка видно, что увеличился увеличилась амплитуда колебаний. Это произошло за счет увеличения индекса модуляции.

где: Uвх – входное напряжение.

Uвх(t) - напряжение в зависимости от времени.

где M=ΔU/Uн –коэффициент илиглубина амплитудной модуляции.

Ω=2π/T1 –частота модуляции

w0 – частота несущей

T1 – период

  1. Увеличим сопротивление резистора R1 со 100 Ом до 500 Ом и при включении схемы на осциллографе увидим:

рис. 16 Детектированный АМ – сигнал с измененными параметрами сопротивления резистора R1.

Из этого рисунка мы видим, что получился плохой детектируемый сигнал. Это произошло из-за того, что для хорошей работы детектора – сопротивление нагрузки R2 должно быть значительно больше сопротивления R1.

  1. Увеличим емкость конденсатора с 2 нФ до 10 нФ и при включении схемы на осциллографе увидим:

рис. 17 Детектированный АМ – сигнал с измененными параметрами конденсатора.

Из этого рисунка мы видим, что получился плохой детектируемый сигнал. Это произошло из-за того, что для хорошей работы детектора так же требуется выполнение следующих условий:

1/(ΩC)>>R2; 1/(ω0C)<<R2;

  1. Увеличим сопротивление резистора R2 с 5 кОм до 50 кОм и при включении схемы на осциллографе увидим:

рис. 18 Детектированный АМ – сигнал с измененными параметрами сопротивления резистора R2.

Как видно из этого рисунка полоса огибающего входного модулированного сигнала. Это произошло из-за увеличения выходного напряжения U вых.

U вых=I0R2

где: U вых – выходное напряжение детектора

I0 – постоянная составляющая тока амплитудного детектора.