Разработка зарядного устройства
2.1.1 Обоснование выбора транзисторов
Произведём выбор наиболее подходящего полупроводникового прибора из ниже приведённого списка.
"right">Таблица 3.1
Тип транзистора |
Iк max |
Pk max |
UКБО мах |
F |
|
КТ 972А |
4А |
8Вт |
60В |
200МГц |
|
КТ 971А |
17А |
200Вт |
60В |
150МГц |
|
КТ 972Б |
4А |
8Вт |
45В |
200МГц |
Выбираем транзистор с наибольшей мощностью и высокой частотой типа КТ 972А.
"right">Таблица 3.2
Тип транзистора |
Iк max |
Pk max |
UЭБО мах |
F |
|
КТ 315Г |
100 мА |
150 Вт |
6 В |
250 МГц |
|
КТ 315А |
100 мА |
150 Вт |
6 В |
200 МГц |
|
КТ 3151В |
100 мА |
200 Вт |
6 В |
100МГц |
Выбираем транзистор с малой мощностью и высокой частотой типа КТ 315Г.
"right">Таблица 3.3
Тип транзистора |
Iк max |
Pk max |
UЭБО мах |
F |
|
КТ 973А |
4 А |
8 Вт |
5 В |
200 МГц |
|
2Т877В |
20 мА |
50 Вт |
5 В |
100 МГц |
|
2Т877Б |
20 мА |
50 Вт |
5 В |
100МГц |
Выбираем транзистор с высокой мощностью и высокой частотой типа КТ 973А.
Содержание
- Введение
- 1. Общая часть
- 1.1. Анализ технического задания
- 1.3 Особенности данного типа микропроцессора PIC12F675
- 2. Исследовательская часть
- 2.1.1 Обоснование выбора транзисторов
- 2.1.2 Обоснование выбора диодов
- 2.2.3. Обоснование выбора резисторов
- 2.2.4. Обоснование выбора конденсаторов
- 2.2.5 Обоснование выбора микросхем.
- 3. Расчетная часть
- 3.2 Расчет узкого места
- 4. Конструкторская часть
- 4.2. Обоснование разработки компоновки печатной платы
Похожие материалы
- Обзор аналогов зарядного устройства
- 1.1.12 Автоматическое зарядное устройство
- 1.1.1 Зарядное устройство
- 8.5. Зарядные устройства свинцово-кислотных аккумуляторов Простые зарядные устройства
- Зарядные устройства
- 2. Зарядные устройства
- 14 Виды зарядных устройств
- 1.2 Этапы разработки автоматизированного зарядного устройства
- Зарядные устройства
- 1.1.3.3 Зарядное устройство № 8