Реактивное ионно-плазменное травление
Данный вид травления является разновидностью процесса плазмохимического травления. В процессе травления участвуют радикалы и химически активные ионы. К обрабатываемому материалу прикладывается отрицательный электрический потенциал. Диапазон давлений газа в процессах реактивного ионно-плазменного травления составляет 10-1 – 1 Па. Ускорение ионов полем по направлению к подложке и более низкое давление обеспечивают высокую направленность движения ионов и относительно высокое разрешение процесса травления.
Процессы плазмохимического и его разновидности реактивного ионно-плазменного травления экологически безопасны, снижают затраты химических реагентов, токсичность образующихся продуктов травления. Эти качества обеспечивают перспективность использования плазмохимического травления в технологии.
- 11. Физико-химические и физические основы ионных, ионно-плазменных, плазмохимических методов нанесения и травления микроэлектронных структур
- 11.1. Основы физики тлеющего разряда Характеристики тлеющего разряда
- Вольт-амперная характеристика разряда между электродами
- 11.2. Физические основы ионного распыления
- 11.3. Коэффициент распыления
- 11.4. Энергетическое и пространственное распределение потока распыленных частиц
- 11.5 Ионно-плазменные методы распыления Диодные системы распыления
- Магнетронные системы распыления
- Реактивное распыление
- Плазмодуговое распыление
- 11.6. Процессы ионно-плазменной обработки материалов
- Плазмохимическое осаждение
- Плазмохимическое и ионно-химическое травление
- Травление распылением в плазме
- Ионно-лучевое травление
- Реактивное ионно-плазменное травление
- 11.7. Параметры процессов травления
- Селективность процессов травления
- Направленность процессов травления
- Зависимость скорости травления от параметров процесса
- Влияние эффекта загрузки
- Текстура поверхности