Селективность процессов травления
Селективность процессов характеризуется отношением скоростей травления материалов разной химическойприроды, например пленки и подложки или пленки и маски.
Способы управления селективностью процессов ПХТ и ИХТ заключаются в воздействии на процесс химического взаимодействия частиц плазмы с материалами. Принципиально химическая природа взаимодействия ионов и радикалов с материалами позволяет обеспечить высокую селективность процессов ПХТ и ИХТ. Она может быть того же порядка, что и при жидкостном химическом травлении. Но, так же как и при жидкостном химическом травлении, высокая селективность может быть достигнута только точным подбором травящих компонентов и сопутствующих условий проведения процесса. Многообразие образующихся в плазме химически активных частиц, трудность управления их концентрациями делают получение высокой селективности процессов ПХТ и ИХТ сложной задачей.
Для практического решения этой задачи используются различные способы, в основе которых лежит управление составом травящих частиц плазмы и состоянием обрабатываемой поверхности. Если, например, в обратимой реакции СF4CF3+Fсместить равновесие в сторону преимущественного образования либо радикаловCF3, либо радикаловF, то можно обеспечить селективность травления двуокиси кремния к кремнию, нитрида кремния к кремнию и наоборот. Дефицит фтора в плазме приводит к образованию углеродного покрытия или полимерной пленки на кремнии и прекращению на нем процесса травления. Смещение равновесия этой химической реакции можно обеспечить добавлением вCF4 восстанавливающего (водорода) и окисляющего газа (кислорода).
Большие возможности в управлении селективностью открывает ионная бомбардировка, инициирующая химические реакции на поверхности обрабатываемого материала, удаляющая углеродное или полимерное покрытие.
Селективность процессов ПХТ и ИХТ сильно зависит от технологических режимов обработки. Влияние различных параметров на селективность проявляется через изменение состава частиц плазмы. Этими параметрами являются мощность, вкладываемая в разряд, скорость подачи рабочего вещества в камеру, давление и т.п.
- 11. Физико-химические и физические основы ионных, ионно-плазменных, плазмохимических методов нанесения и травления микроэлектронных структур
- 11.1. Основы физики тлеющего разряда Характеристики тлеющего разряда
- Вольт-амперная характеристика разряда между электродами
- 11.2. Физические основы ионного распыления
- 11.3. Коэффициент распыления
- 11.4. Энергетическое и пространственное распределение потока распыленных частиц
- 11.5 Ионно-плазменные методы распыления Диодные системы распыления
- Магнетронные системы распыления
- Реактивное распыление
- Плазмодуговое распыление
- 11.6. Процессы ионно-плазменной обработки материалов
- Плазмохимическое осаждение
- Плазмохимическое и ионно-химическое травление
- Травление распылением в плазме
- Ионно-лучевое травление
- Реактивное ионно-плазменное травление
- 11.7. Параметры процессов травления
- Селективность процессов травления
- Направленность процессов травления
- Зависимость скорости травления от параметров процесса
- Влияние эффекта загрузки
- Текстура поверхности