1.7.2. Ненасыщенный ключ с шунтирующим диодом

В о вторую схему ненасыщенного ключа (рис.1.20) относительно схемы насыщаемого ключа дополнительно введены диод VD и резистор R₂.

Сопротивления резисторов R₁ и R₂ – рассчитывают так чтобы напряжение между их общей точкой и общим проводом схемы при наличии тока базы не превышало 1,5-2 В. При формировании переднего импульса на входе генератора импульсов возникает ток базы в цепи: генератор импульсов – R₁ – R₂ – база-эмиттер – общий провод и рабочая точка начинает перемещаться в положение “1”. Ток базы принимает значение больше, чем ток I_б1. При нахождении рабочей точки на участке “0-2” линии нагрузки (рис .1.19) полярность напряжения на диоде соответствует указанной без скобок. Диод закрыт. При дальнейшем движении рабочей точки в сторону точки “1” напряжение между коллектором и эмиттером транзистора U_кэ становится меньше напряжения U₁. Диод открывается и часть тока, ранее шедшего через R₂ и базу-эмиттер транзистора начинает замыкаться по цепи: генератор импульсов – R₁ – диод – коллектор-эмиттер – общий провод. Ток базы уменьшается и принимает значение I_б < I_б1. При этом рабочая точка принимает положение “4” на линии нагрузки, не попадая на линию насыщения. Поэтому транзистор остается ненасыщенным.

Преимущества схемы:

1. низкое тепловыделение в сравнении со схемой 1, т.к. ток коллектора меньше ;

2. нет дополнительного источника ЭДС.