1.6. Электронный ключ на основе полевого транзистора
В настоящее время электронные ключи на полевых транзисторах находят все большее применение. Схема электронного ключа на полевом транзисторе приведена на рис.1.14.
Рис.1.14
Как правило в ключах используют МДП-транзисторы с индуцированным каналом, поскольку такие транзисторы при напряжении затвор-исток, которое меньше порогового Uзи.пор находиться в непроводящем состоянии, то есть электронный ключ выключен. Чтобы его включить необходимо и достаточно увеличить напряжение затвор-исток Uзи до напряжения большего Uзи1, которое аналогично граничному току базы биполярного транзистора. Процесс включения и выключения транзистора занимает некоторое время, так как перезаряжаются емкости затвор-исток (Cзи) и затвор-сток (Cзс) МДП-транзистора. Перезаряд емкости затвор-исток происходит через резистор , который необходим для ограничения величины тока через электронные ключи К1 и К2 коммутатора. Для низковольтных ключей на МДП транзисторах (Uси – 10÷50 В) наличием емкости затвор-сток (Cзс) можно пренебречь, так как она очень мала и при невысоком напряжении (Uси – 10÷50 В) заряд, необходимый для перезаряда емкости затвор-сток, пренебрежимо мал. Для высоковольтных ключей на МДП транзисторах (Uси – 100÷1500 В) наличием емкости затвор-сток (Cзс) пренебрегать нельзя, поскольку для ее перезаряда требуется значительный заряд, оказывающий существенное влияние на динамические процессы в ключе.
- Электрический ключ
- 1.1. Электрический ключ
- 1.2. Электронный ключ выполненный на биполярном транзисторе
- 1.2.1. Режим насыщения
- 1.2.2. Режим запирания
- 1.3. Динамические режимы работы электронного ключа. Длительности фронта, рассасывания и среза.
- 1.4. Оптимальная форма базового тока
- 1.5. Цепь формирования квазиоптимальной формы базового тока
- 1.6. Электронный ключ на основе полевого транзистора
- 1.6.1. Включение и выключение ключа
- 1.6.2. Особенности коммутации высоковольтных ключей на мдп транзисторе Эффект Миллера
- 1.7. Ненасыщенные ключи
- 1.7.1. Ненасыщенный ключ с вспомогательным источником э.Д.С.
- 1.7.2. Ненасыщенный ключ с шунтирующим диодом
- 1.8. Силовые электронные ключи на основе составных биполярных транзисторов
- 1.8.1. Схема Дарлингтона
- 1.8.2. Вторая схема электронного ключа на базе транзистора
- 1.9 Силовые электронные ключи на основе igbt-транзисторов
- Паразитные емкости и их влияние.