Лекции / Конспект лекций по ФХОТЭС
Текстура поверхности
При травлении в плазме в ряде случаев исходная гладкая поверхность сохраняется, тогда как при использовании других плазменных травителей она становится неровной или текстурированной.
На поверхности монокристаллического кремния и двуокиси кремния при травлении в плазме CF4иCF4/O2происходит развитие шероховатости. Размер и форма рельефа зависят в основном от толщины стравленного слоя и отличаются для кремния и двуокиси кремния. При малых толщинах удаленного слоя поверхность кремния становится тонкогранулированной. С увеличением толщины появляются мелкие ямки неопределенной формы. Окисление поверхности уменьшает поверхностную шероховатость, образовавшуюся в результате обработки в плазме.
Содержание
- 11. Физико-химические и физические основы ионных, ионно-плазменных, плазмохимических методов нанесения и травления микроэлектронных структур
- 11.1. Основы физики тлеющего разряда Характеристики тлеющего разряда
- Вольт-амперная характеристика разряда между электродами
- 11.2. Физические основы ионного распыления
- 11.3. Коэффициент распыления
- 11.4. Энергетическое и пространственное распределение потока распыленных частиц
- 11.5 Ионно-плазменные методы распыления Диодные системы распыления
- Магнетронные системы распыления
- Реактивное распыление
- Плазмодуговое распыление
- 11.6. Процессы ионно-плазменной обработки материалов
- Плазмохимическое осаждение
- Плазмохимическое и ионно-химическое травление
- Травление распылением в плазме
- Ионно-лучевое травление
- Реактивное ионно-плазменное травление
- 11.7. Параметры процессов травления
- Селективность процессов травления
- Направленность процессов травления
- Зависимость скорости травления от параметров процесса
- Влияние эффекта загрузки
- Текстура поверхности