logo search
1 11Электрический ключ (1)

1.2.1. Режим насыщения

В этом режиме транзистор проводит ток и говорят что транзистор «открыт». Этот режим соответствует положению «вкл.» электрического ключа. Режим насыщения обеспечивается переводом коммутатора КТ (рис.1.4) в положение 1. При этом схема (рис 1.4) принимает вид приведенный на рис. 1.5.

Rб

Rн

Eотп

VT

Iк

Uкэ

2

3

4

Iб0

Iб1

Iб2

Iб3

Iб4

Iб5

Iгр

Uк.н

Uк.э

Рис. 1.5

Iк

1

Iб0

Iб1

Iб2

Iб3

Iб4

Iб5

Iгр

Iк.н

0

3

4

2

Uкэ. нас.

Еn Uк.э

Рис.1.6

Пусть в цепи базы транзистора существует ток Iб=Iб2 и рабочая точка находится в положении 0 на ВАХ транзистора (рис.1.6). Начнем увеличивать ток базы путем увеличения . При этом рабочая точка будет перемещаться вверх по линии нагрузки. В этом режиме выполняется равенство . При некотором токе базы Iб называемом ток базы граничный ( ) рабочая точка достигает положения 1 на ВАХ транзистора. При этом выражение примет вид , где ток – максимальный ток коллектора, называемый током коллектора насыщения. Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора так же примет минимальное значение , называемое напряжением насыщения.

Такой режим называется граничным режимом работы транзистора. Дополнительным условием существования граничного режима считается равенство нулю напряжения между коллектором и базой транзистора Uкб=0. Это связано с тем что при малых величинах напряжения Uкэ (рабочая точка близка к положению 1) существенно снижается коэффициент передачи тока и коэффициент входящий в выражение , строго не определен. Дальнейший рост Eотп приводит к увеличению до значений больших . Однако рабочая точка останется в положении 1, а следовательно и выполняется неравенство которое называется условием насыщения транзистора.

Условие насыщения транзистора может быть преобразовано в равенство путем применения коэффициента – коэффициента насыщения.

Обычно транзисторы работают с коэффициентом насыщения от 1,2 до 3.