Лаба1
Задание к лабораторной работе «Температурная зависимость проводимости в полупроводниках».
1.Измерить температурную зависимость сопротивления бруска полупроводникового материала с размерами S (площадь поперечного сечения) = 0,5×0,5 см2; l (длина бруска) = 2см в диапазоне температур 300º-400ºК. (см. «Вводные данные»).
2.Построить график зависимости lgσ от 1000/ТºК.
3.Используя полученные данные определить ширину запрещенной зоны измеренного полупроводникового материала.
4.По табличным данным определить название полупроводника, из которого изготовлен испытуемый образец.
Вводные данные:
Образец № 1.
Т (ºК) | 300 | 325 | 375 |
R (Ом) | 2,97×109 | 3,74×108 | 1,238×107 |
Образец № 2.
Т (ºК) | 300 | 325 | 375 |
R (Ом) | 1,873×106 | 3,187×105 | 2,305×104 |
Образец № 3.
Т (ºК) | 300 | 325 | 375 |
R (Ом) | 3,65×102 | 1,42×102 | 2,97×101 |
Содержание
- Электрофизические свойства полупроводников. Температурная зависимость проводимости в полупроводниках.
- Электрофизические свойства полупроводников.
- Собственные и примесные полупроводники.
- Собственный полупроводник.
- Электронный полупроводник.
- Дырочный полупроводник.
- 3. Энергетические диаграммы полупроводников.
- Расчет равновесной концентрации свободных носителей заряда.
- Температурная зависимость проводимости в собственных полупроводниках.
- Температурная зависимость проводимости в примесных полупроводниках.
- Задание к лабораторной работе «Температурная зависимость проводимости в полупроводниках».