Дырочный полупроводник.
Дырочным полупроводником или полупроводником типа p ( от латинского positive - положительный) называется полупроводник, в кристаллической решетке которого (рис. 1.4) содержатся примесные трехвалентные атомы, называемые акцепторами. В такой кристаллической решетке одна из ковалентных связей остается незаполненной. Свободную связь примесного атома может заполнить электрон, покинувший одну из соседних связей. При этом примесный атом превращается в отрицательный ион, а на том месте, откуда ушел электрон, возникает дырка.
В дырочном полупроводнике, также как и в электронном, происходит тепловая генерация носителей заряда, но их концентрация во много раз меньше концентрации дырок, образующихся в результате ионизации акцепторов. Концентрация дырок в дырочном полупроводнике обозначается pp, они являются основными носителями заряда, а концентрация электронов обозначается np, они являются неосновными носителями заряда.
- Электрофизические свойства полупроводников. Температурная зависимость проводимости в полупроводниках.
- Электрофизические свойства полупроводников.
- Собственные и примесные полупроводники.
- Собственный полупроводник.
- Электронный полупроводник.
- Дырочный полупроводник.
- 3. Энергетические диаграммы полупроводников.
- Расчет равновесной концентрации свободных носителей заряда.
- Температурная зависимость проводимости в собственных полупроводниках.
- Температурная зависимость проводимости в примесных полупроводниках.
- Задание к лабораторной работе «Температурная зависимость проводимости в полупроводниках».