2.1.4. Точечные диоды

Точечные диоды характеризуются очень малой площадью р-перехо-ды. Получаются такие переходы следующим образом. Берется пластинка полупроводника п-типа. К одной из поверхностей этой пластинки приставляется металлическая игла из тонкой вольфрамовой проволоки, обработанная акцепторной примесью (In, Al и т.д.). Для получения p-n-перехода используется метод токовой формовки. Суть его в том, что через этот контакт пропускается кратковременный импульс тока определенной величины. В результате этого тонкий слой полупроводника вблизи острия иглы приобретает дырочную проводимость (р), таким образом, внутри полупроводниковой пластинки образуется p-n-переход очень малой площадью, а следовательно, и малой барьерной емкостью (не более 1 пФ). Такие диоды могут использоваться для выпрямления, детектирования сигналов, частота которых измеряется сотнями МГц. Следует отметить, что в связи с малой площадью p-n-перехода предельно допустимые параметры таких диодов невелики. Средний прямой ток измеряется десятками мА, обратное максимальное напряжение сотнями вольт.

Основной характеристикой является вольтамперная характеристика диода, которая в прямой ветви аналогична ВАХ плоскостного диода, а в обратной ветви имеет значительно меньшую величину обратного тока и отсутствует явно выраженный участок насыщения (рис. 2.15). При увеличении обратного напряжения происходит равномерное увеличение обратного тока. Основные параметры такие же, как и у плоскостного диода, однако, есть и дополнительные, характеризующие его частотные свойства. К таким параметрам относятся емкость, дифференциальное сопротивление, диапазон частот диода. Схема включения такая же, как и у выпрямительных диодов. Применяется в импульсных и высокочастотных слаботочных схемах, может быть использована в маломощных выпрямителях.