Базовый логический элемент ттлш

В качестве базового элемента микросхем серии К555 использован, элемент И-НЕ, схема которого приведена на рис.28 а условное графическое обозначение транзистора Шоттки  на рис. 28 б. Такой транзистор эквива-

лентен рассмотренной выше паре из обычного транзистора и диода Шоттки. Транзистор VT4 – обычный биполярный транзистор. Если оба входных напряжения (U_вх1 и U_вх2) имеют высокий уровень, то диоды VD3 и VD4 закрыты, транзисторы VT1, VT5 открыты и на выходе имеет место напряжение низкого уровня. Если хотя бы на одном входе имеется напряжение низкого уровня, то транзисторы VТ1 и VT5 закрыты, транзисторы VT3 и VT4 открыты и на выходе имеет место напряжение высокого уровня. Транзисторы VT3 и VT4 образуют так называемый составной транзистор (схему Дарлингтона).

а б

Рис.28. Принципиальная схема базового элемента серии К555 (а),

Схема и графическое обозначение транзистора Шоттки (б)

Микросхемы ТТЛШ серии К555 характеризуются следующими параметрами:

напряжение питания – плюс 5 В;

выходное напряжение низкого уровня – не более 0,4 В;

выходное напряжение высокого уровня – не мене 2,5 В;

I⁰_вх= 0,36 мА;I¹_вх= 0,02 мА;I_пот= 4,4 мА;

среднее время задержки распространения сигнала – 20 нс;

максимальная рабочая частота – 25 МГц.

Микросхемы ТТЛШ обычно совместимы по логическим уровням, помехоустойчивости и напряжению питания с микросхемами ТТЛ. Время задержки распространения сигнала элементов ТТЛШ в среднем в два раза меньше, а мощность, потребляемая ими, в 4 – 10 раз ниже по сравнению с аналогичными элементами ТТЛ. К тому же ТТЛШ имеют незначительные емкости p-n-переходов.