Вопросы

1) Каковы основные отличия элементов от компонентов электронных устройств (ЭУ)?

1. Элемент – составная часть ЭУ, выполняющая электрические, механические и электромеханические функции, которая неразделимо связана с конструктивами ЭУ; компонент – часть ЭУ, выполняющая функции, связанные с обработкой электрических сигналов.

2. Элемент может быть самостоятельным изделием электронной техники (ИЭТ) и представляет собой простейшую единицу конструкции ЭУ, а компонент – более сложная единица конструкции ЭУ, хотя тоже может быть ИЭТ.

3. Элемент не отделим от любого конструктива ЭУ и не является самостоятельным ИЭТ, а компонент – самостоятельное ИЭТ, которое можно заменить без разрушения конструкции ЭУ; компоненты выполняют более сложные функции в ЭУ и при изготовлении требуют применения гораздо большего разнообразия технологий чем элементы.

4. Для изготовления элемента используют не более одной какой-либо технологии, а для изготовления компонента всегда требуется применение нескольких технологий.

Правильный ответ –

2. По каким признакам классифицируют дискретные резисторы? Выберите правильные ответы : а – по функциональному признаку;

б – по разновидности материала, из которого изготовлен резистивный элемент (РЭ); в – по способу монтажа на печатной плате; г – по номинальной мощности; д – по диапазону изменения ТКС; е – по технологии изготовления; ж – по степени защищенности от внешних воздействий; з – по форме выводов; и – по назначению; к – по величине удельного объемного сопротивления РЭ; л – в зависимости от конструкторско-технологической реализации РЭ.

1. а…к.

2. а…д; ж…и; л.

3. б…е; з…к.

4. а…в; ж…и; л.

5. б…и; к; л.

6. а; б; д…к.

Правильный ответ –

3. Перечислите особенности изготовления углеродистых постоянных резисторов:

а – обеспечивают химическую однородность структуры поверхности диэлектрического основания с минимальным и однородным ее микрорельефом;

б – используют керамическую технологию изготовления основания;

в – для получения РЭ используют пиролиз гептана;

г – используют пиролиз трипропилбора;

д – керамические основания покрывают глазурью;

е – осуществляют армирование выводов;

ж – наносят суспензию коллоидного раствора графита или серебра с последующей термообработкой;

з – проводят электротренировку в импульсном режиме;

и –выполняют нарезку при необходимости.

1. а…в; е; з; и.

2. а…ж.

3. а…г; е… и.

4. а…в; д… и.

5. а…г; е; з; и.

Правильный ответ –

4. Укажите особенности изготовления бороуглеродистых постоянных резисторов:

а – обеспечивают химическую однородность структуры поверхности диэлектрического основания с минимальным и однородным ее микрорельефом;

б – используют керамическую технологию изготовления основания;

в – для получения РЭ используют пиролиз гептана;

г – используют пиролиз трипропилбора;

д – керамические основания покрывают глазурью;

е – осуществляют армирование выводов;

ж – наносят суспензию коллоидного раствора графита или серебра с последующей термообработкой;

з – проводят электротренировку в импульсном режиме;

и –выполняют нарезку при необходимости.

1. а…г; ж… и.

2. а; б; г; д; ж…и.

3. а; б…д; з; и.

4. а…д; ж… и.

5. а…е; з; и.

Правильный ответ –

Какие технологии используют при изготовлении металлопленочных резисторов?

6. Тонкопленочная технология, включая фотолитографию; технология армирования выводов, термоотжига, контроля.

7. Толстопленочная технология; технология нанесения защитных покрытий и контроля.

8. Керамическая технология изготовления основания; технология глазурования керамики; технология осаждения в вакууме металлов, сплавов, керметов, силицидов, карбидов, нитридов металлов; армирования выводов или формирования выводов с применением контактолов; технологии термостабилизации, формирования защитных покрытий и контроля, а при необходимости – технологии корпусирования.

9. Керамическая технология; тонкопленочная технология, включая фотолитографию; технология армирования выводов, нанесения защитного покрытия, контроля и корпусирования.

10. Керамическая технология; трафаретная печать электропроводящих паст; технология армирования выводов, нанесения защитного покрытия, контроля качества.

Правильный ответ –

Укажите технологии изготовления РЭ на основе композиционных материалов для: а – объемных; б – толстопленочных; в – тонкопленочных резисторов.

11. а – пиролиз; б – керамическая; в – электрохимическое осаждение.

12. а – керамическая; б – офсетная печать; в – химическое осаждение.

13. а – трафаретная печать резистивных паст; б – керамическая; в – вакуумное напыление.

14. а – керамическая; б – трафаретная печать; в – химико-гальваническое осаждение.

15. а – керамическая (литья или прессования); б – трафаретная печать резистивных паст; в – вакуумное напыление (ионно-плазменное, магнетронное распыление и др.).

Правильный ответ –

5. Какие из параметров и характеристик постоянных непроволочных резисторов включены в систему их полных условных обозначений? Приведите их правильную последовательность в обозначении:

а – номинальное сопротивление (Ом, кОм, МОм);

б – номинальная мощность рассеяния (Вт);

в – допускаемое отклонение в сопротивления (±%);

г – интенсивность отказов (1/ч);

д – уровень собственных шумов (мкВ/В);

е – предельное рабочее напряжение (В);

ж – группа по уровню шумов;

з – группа по ТКС;

и – климатическое исполнение;

к – диапазон рабочих температур (ºС).

1. а; в; б; е…и.

2. б; а; в; ж…и.

3. а…д; и; к.

4. б; а; в; г…з.

5. а…в; д; з…к.

6. б; а; в…е; з…к.

Правильный ответ –

6. Укажите основные материалы для изготовления РЭ терморезисторов с отрицательным ТКС (ОТ); с положительным ТКС (ПТ), включая позисторы,:

а – смесь поликристаллических оксидов переходных металлов (Mn₃O₄; CoO; NiO и др.);

б – легированные Si и Ge;

в – SiC;

г – полупроводники А³В⁵;

д – аморфные полупроводники;

е – твердые растворы на основе BaTiO₃ (включающие Sr, Ti, Sn либо Pb);

ж – поликристаллические полупроводниковые материалы на основе BaTiO₃, легированные Bi, Nb, Sb;

и основные технологии изготовления их РЭ:

з – керамическая технология (спекание порошков, прессование);

и – пленочная технология;

к – полупроводниковая технология.

1. ОТ – а…е – з, к; ПТ – в, ж – и, к.

2. ОТ – в…ж – з, и; ПТ – д…ж – и.

3. ОТ – а…д – з…к; ПТ – е, ж – з, и.

4. ОТ – б…ж – и, к; ПТ – ж – з.

5. ОТ – а…д – и, к; ПТ – е – з, и.

Правильный ответ –

7. Укажите основные материалы для изготовления РЭ болометров (Б); варисторов (В); фоторезисторов (Ф):

а – оксиды Co, Mg, Ni;

б – сплав Ag, Pb, S (чернь);

в – металлы Ni, Au, Bi, сплавы на основе Sn, Ta, Nb;

г – Ge, легированный Ga;

д – SiC, ZnO-SiO₂ с органическим или неорганическим связующим;

е – легированный Si;

ж – аморфный Si;

з – CdS, CdSe;

и – соединения PbS, PbSe, CdHgTe, PbSnSe;

и широко применяемые технологии их изготовления:

к – керамическая технология (спекание порошков, прессование);

л – полупроводниковая технология;

м – вакуумное напыление;

н – химическое осаждение.

1. Б – а…е – к…м; В – г…е – к…л; Ф – г, е…и – к,л.

2. Б – а…д – к,л; В – д…з – к,м; Ф – г…з –л.

3. Б – а…ж – к, н; В – а…д – к…м; Ф – г, е…и – л, н.

4. Б – а, б – к…н; В – е…и – к, н; Ф – е, з, и – к…н.

5. Б – а…г – к…м; В – д…ж – к…м; Ф – г, е, з, и – к…н.

Правильный ответ –

8. Укажите основные материалы и технологии изготовления РЭ магниторезисторов (МР) и тензорезисторов (ТР):

а – монокристаллический полупроводник типа ZnSb, ZnAs, ZnSb- NiSb;

б – поликристаллический ZnSb;

в – Zn, Ni;

г – легированный Si, Ge;

д –сплавы на основе Cu, Ni, Mo, Pt;

е – полупроводниковая технология;

ж – тонкопленочная технология;

з – аппликативная технология;

и – керамическая технология ;

к – гальваническая технология;

л – фольгирование.

1. МР – а…в, д – е…з, к; ТР – г, д – е…з, л.

2. МР – а…д – е…л; ТР – б…д – ж…л.

3. МР – б…г – з, и, к; ТР – а…в – е…и.

4. МР – в, г– е, к, л; ТР – б…г – ж…и.

5. МР – д – е…з, к; ТР – в…д – е…к.

Правильный ответ –.

9. Назовите способ подгонки сопротивления разных типов резисторов «в номинал»:

а – тонкопленочных;

б – толстопленочных;

в – композиционных объемных;

г – проволочных; из:

д – распыление с помощью песчаной струи;

е – нарезка канавок на поверхности РЭ алмазным диском;

ж – локальное удаление материала РЭ лазерным лучом;

з – нанесение на поверхность РЭ слоя идентичного материала;

и – намотка при повышенных температурах;

к – термостарение;

л – термоэлектротренировка;

м – токовая тренировка (в импульсном режиме);

н – локальное окисление;

о – закорачивание отдельных витков РЭ;

п – использование подгоночных топологических элементов.

1. а – д…з, к…м; б – д…з; в – д…ж; г – д, и…о.

2. а – е…з, к, л, п; б – д, ж, к…н; в – д, з; г – и, м, о.

3. а – д…ж, к, н; б – д, з, л, м; в – ж, з; г – и, о, п.

4. а – е…з, к, м, н, п; б – д…ж, л; в – д, к, л; г – и…л, о.

5. а – е…ж, к, м; б – д…з, к…н; в – д, з, к; г – д, и, л, о.

Правильный ответ –

10. По каким признакам классифицируют конденсаторы? Перечислите все признаки с учетом преимущественно общей для дискретных компонентов классификации и конкретной, относящейся только к конденсаторам классификации:

а – по назначению;

б – по способу защиты конструкции;

в – способу монтажа;

г – по виду диэлектрика;

д – по функциональным особенностям при использовании в электронных устройствах;

е – по характеру изменения емкости;

ж – по величине номинальной емкости;

з – по номинальному напряжению;

и – по ТКЕ;

к – по частотным свойствам;

л – по варианту конструкторско-технологической реализации.

1. а ; г…ж.

2. а …ж; л.

3. а , е, б…г; з, к, д.

4. а , г; е…к.

5. а …г; ж…л.

Правильный ответ –

11. Укажите материалы диэлектриков для следующих групп конденсаторов:

а – конденсаторы с неорганическим диэлектриком;

б – конденсаторы с органическим диэлектриком;

в – конденсаторы с оксидным диэлектриком;

г – конденсаторы с газообразным диэлектриком;

д – конденсаторная бумага, полиэтилентерефталат, полипропилен, поликарбонат, их комбинации;

е – полистирол, фторопласт, их сочетания с бумагой;

ж – окислы металлов (Al, Ta, Nb);

з – керамика, стекло, стеклоэмаль;

и – слюда;

к– азот, фреон;

л – элегаз (SF₆), вакуум;

м – двуокись марганца;

н – кварц;

о – стеклокерамика;

п – воздух;

р – политетрафторэтилен, лавсан.

1. а – з, н ; б – д, е, и, о, р; в – ж…и; г – к, л, п.

2. а – ж, з, о; б – д, е, л, р; в – ж, з; г – к, п.

3. а – з, и, н, о; б – д, м; в – ж, м; г – к, л.

4. а – ж…и, н, о; б – д, е; в – ж; г – к, л, п.

5. а – ж…и, м, о; б – д, е, и, р; в – ж, з, м; г – к, п.

Правильный ответ –

12. Перечислите основные материалы диэлектриков, используемых при изготовлении конденсаторов постоянной емкости для следующих конструкций:

а – пакетной;

б – трубчатой;

в – пластинчатой;

г – дискообразной;

д – литой секционированной;

е – многослойной монолитной;

ж – рулонной;

з – резервуарной;

и – типа - чип.

1. а – керамика, стёкла ; б – керамика; в ,г – стелокерамика в сочетании с полимерными пленками; д, е – керамика; ж, з – оксид Al; и – специальные виды керамики.

2. а – слюда, стеклоэмаль, стеклокерамика, специальные виды керамики; б – разные виды конденсаторной керамики; в –аналогичны б, стеклокерамика; г, д, е – аналогичны б; ж – конденсаторная бумага, разные виды полимерных пленок (или лент), комбинации различных органических материалов; з – оксиды Al, Ta; и – аналогичны в, оксиды Al, Ta, Nb.

3. а – слюда, керамика; б…е – разные виды конденсаторной керамики; ж – ленты керамики, бумаги; з – полимерные пленки, оксиды Al; и – керамика.

4. а – стеклокерамика; б…д – керамика, стеклокерамика; е, ж, з – керамика, бумага; и – керамика, стёкла.

5. а – стеклоэмали; б…е – керамика, стеклоэмали; ж, з – конденсаторная бумага, оксид Al ; и – керамика, полимерные пленки.

Правильный ответ –

13. Для изготовления постоянных конденсаторов конструкций:

а – пакетной;

б – трубчатой;

в – пластинчатой;

г – дискообразной;

д – литой секционированной;

е – многослойной монолитной;

ж – рулонной;

з – резервуарной;

и – типа – чип;

используют следующие основные технологии:

к – спрессовывание с обжимками пакета диэлектрических металлизированных пластин;

л – приемы тонкопленочной технологии;

м – приемы толстопленочной технологии;

н – литьё керамики;

о – нанесение и вжигание серебросодержащих покрытий;

п – формирование влагозащитных покрытий;

р – литьё горячей керамики по форме с пазами;

с – химическая, либо химико-гальваническая металлизация;

т – спекание металлизированных слоев керамики, стеклокерамики;

у – формирование внешних выводов (микроконтактироване);

ф – формирование выводных площадок;

х – свертывание в рулон лент из различных органических и неорганических материалов;

ц – изготовление металлобумажных заготовок;

ч – сборка и герметизация в корпусе;

ш – пропитка волокнистых материалов электролитом;

щ – спекание стержня и порошка металла с последующим анодированием получаемой пористой поверхности слага;

э – формирование слоя MnO₂;

ю – опрессовка пластмассой;

я – заливка герметиком.

Определить технологии, используемые для создания каждой конструкции конденсатора.

1. а – к…м, о, с, у ; б – л…п, у; в – м, у; г – л…о, у; д – м…р, у; е – м… п, т, у; ж – о, н, с, х, ц, ш, ю; з – у…ш; и – л…п, т, у, щ…я.

2. а – к…н, п, у ; б – л…п, у; в – м, о, у; г – л…п, у; д – н…п, у; е – м… п, т, у; ж –с, у, х… ш, я; з – т…ч, я; и – м…о, у, ф, ч…я.

3. а – к…о, с, у ; б – л…н, п, у; в – л…п, у; г – м…о, у; д – о…с, у; е – м… п, т, у; ж –с, х… ч, ю; з – у…щ, ю; и – н…р, у, ф, ч…ю.

4. а – к…п, т, у ; б – м…о, п, у; в – л…о, у; г – л…п, у; д – н…ф, у; е – м… п, т, у; ж –у, х… ш, ю, я; з – с; у, х…щ; и – о, п, с…ф; щ…я.

5. а – к…м, о, п, у ; б – м…п, у; в – л…п, у; г – м…п, у; д – м, о…р, у; е – м… п, т, у; ж – с, у, х…ш; з – с, у, х…ч, щ; и – л…п, т, ф, щ…я.

Правильный ответ –

14. Какие материалы для изготовления

а – варикапов; б – варакторов;в – варикондов;

из: г – Si, Ge; д – GaAs;

е – GaP; ж – различные виды сегнетокерамики на основе титаната бария;

з – TeS; и – керамика на основе Si₃N₄;

указаны неверно?

1. а – г; б – г; в – ж.

2. а – г, д; б – г, д; в – ж.

3. а – е; б – з; в– и.

4. а – д; б – г; в – ж.

5. а – г; б – д; в – ж.

Правильный ответ –

15. Назовите материалы диэлектриков конденсаторов общего назначения:

а – переменных; б – подстроечных;

из: в – воздух; г – конденсаторная керамика; д – стекло;

е – кварц; ж – сапфир; з – слюда; и – вакуум; к – элегаз;

л – органический пленочный материал;

м – сегнетокерамика; н – оксиды Al, Ta, Nb.

1. а – в, г, и, к; б – в…к, м.

2. а – в, и…м; б – г…и, н.

3. а – в, г, и…л; б – в…з, л.

4. а – в, г, и…н; б – г…з, н.

5. а – г, и…м; б – в, и…н.

Правильный ответ –

16. Каковы основные технологии изготовления таких специальных конденсаторов как:

а – варакторы;

б – варикапы;

в –вариконды;

г – термоконденсаторы ? Выберите из:

д – тонкопленочная;

е – толстопленочная;

ж – литье керамики;

з – прессование композиционного материала;

и – полупроводниковая технология;

к– технология микроконтактирования;

л – технология вжигания электропроводящего материала;

м – технология корпусирования;

н – формирование защитных покрытий;

о – формирование выводов;

п – формирование выводных контактных площадок.

1. а – д, и…м; б – д, и, к, н. п; в – е…з, л…п; г – д…з, м…о.

2. а – д, з…н; б – д, и, к, м…о; в – з, к…м, п; г – е…з, к…н.

3. а – е, и…о; б – и…п; в – д…з, н…п; г – ж, з, л…п.

4. а – з…м; б – д, з…л, о; в – е…з, м…о; г – ж, з, н…п.

5. а – и, к, н…п; б – и, к, н…п; в – е…з, к, л, н…п; г – е…з, л, н, п.

Правильный ответ –

17. Катушки индуктивности, используемые в ЭУ, могут быть:

а – контурные; б – длинноволновые;

в – ультракоротковолновые; г – катушки связи;

д – средневолновые; е – коротковолновые; ж – дроссели;

з – трансформаторные; и – вариометры;

к – частотноизбирательные;

л – ограничительные; м – помехоподавляющие.

Какие из них указаны не по критерию «назначение»?

1. а; г; ж… и.

2. г; ж… и.

3. ж… и.

4. а; г; и.

5. б; в; д; е; к…м.

Правильный ответ –

18. Назовите особенности конструкций катушек индуктивности из:

а – тонкопленочные; б – с каркасом; в – толстопленочные;

г – бескаркасные; д – объемные; е – экранированные; ж – плоские; з – однослойные; и – неэкранированные; к – намотанные;

л – с магнитным сердечником или без него; м – многослойные;

н – секционированные; о – печатные; п – типа чип; р – с немагнитным сердечником.

1. а …е; з… м.

2. б; г…ж, и; л; п; р.

3. а; б; г…з; л.

4. г…м; о; п; р.

5. б…л; н; п.

Правильный ответ –

19. Укажите особенности намоток, чаще всего реализуемых при изготовлении обмоток объемных катушек индуктивности (КИ) (включая трансформаторные), применяемых:

а – в контурных КИ ДВ – и СВ - диапазонов;

б –в контурных КИ КВ – и УКВ - диапазонов;

в – в катушках связи;

г – для низкочастотных дросселей;

д – для вариометров;

е – для дросселей высокой частоты;

ж – в навесных КИ для ГИС;

з – для импульсных трансформаторов;

и – для силовых низкочастотных трансформаторов;

к – для согласующих трансформаторов;

выбрав из:

л – многообмоточная намотка на стержневом или тороидальном сердечнике (магнитопроводе);

м – многообмоточная намотка на Ш - образном магнитопроводе с немагнитным зазором;

н – намотка многослойная универсальная на пластмассовом каркасе;

о –намотка однослойная сплошная на пластмассовом каркасе;

п – многослойная (рядовая, внавал) намотка на пластмассовом каркасе;

р – бескаркасная намотка;

с – на керамическом каркасе вожженная намотка;

т – на керамическом каркасе горячая тугая намотка;

у – на пластмассовом каркасе однослойная намотка с шагом;

ф – секционированная универсальная намотка на пластмассовом каркасе;

х – многослойная (внавал) на тороидальном магнитном сердечнике;

ц – двухобмоточная однослойная намотка на каркасе;

ч – двухобмоточная намотка на ферритовом П - образном сердечнике;

ш – однослойная намотка на тороидальном каркасе (круглого или прямоугольного сечения);

щ – двухобмоточная с одно - и многослойной (универсальной) намотками на каркасе;

э – однослойная намотка (преимущественно с шагом) на каркасах из высокочастотных диэлектриков (возможно с пазами);

ю – однослойная сплошная, либо многослойная (чаще – универсальная) намотка на ферритовые стержни.

1. а – н…у; б – м; ф; у; в – х; ш; г –х; ч…ю; д – л…о; е – р; ж – х; з – ф; х; и – л; м; к – л; м.

2. а – о; н; ф; х; б –р, с, т, у, э, ю; в –ц; щ; г – о; п; х; д – ч; е – н…п; у; х; ю; ж – х; э; ю; з – ю; и – н; к – м.

3. а – н; п; ф; х; б – о, р, с, т, у, э, ю; в – ф; ц; щ; г – н; о; п; х; д – ц,ч; е – н…п; у; х; ю; ж – н, х; э; ю; з – л; ю; и – л; н; к – л; м.

4. а – н; ф; х; б – о, с, т, у, э, ю; в – ф; щ; г – н; п; х; д – ц, е – н…п; у; х; ю; ж – н, э; ю; з – л; и – л; к – л…ю.

5. а – н; п; х; б – о, р, т, у, э, ю; в – ф; ц; г – н; о; п; х; д – ц, ч…э; е – н…п; у; х; ю; э; ж – н, х; э; ю; з – л; ю; и – л; н; к – л; м…э.

Правильный ответ –

20. Назовите основные технологии изготовления катушек индуктивности:

а – плоской конструкции; б – чип-конструкции; из следующих:

в – толстопленочная технология;

г – тонкопленочная технология;

д – полупроводниковая технология;

е – субтрактивная технология;

ж – тонкопленочная с гальваническим доращиванием электропроводящего слоя;

з – технология по типу формирования слоев керамики, чередуемых с металлизацией этих слоёв;

и – технология опрессовывания пластмассой;

к – технология формирования внешних выводов.

1. а – в…ж; к; б – в…д; з…к.

2. а – в…е; к; б – г; ж…к.

3. а – г…з; к; б – в; е; и; к.

4. а – г; е; ж; к; б – в; з; и; к.

5. а – г, ж… к; б – в; ж; и; к.

Правильный ответ –

21. Для изготовления акустоэлектронных компонентов, таких как:

а – резонаторов на ПАВ; б – фильтров на ПАВ;

в – линий задержки на ПАВ; укажите основные технологии из следующих:

г – формирование звукопровода на основе монокристаллических LiNbO₃, или Bi₁₂GeO₂₀ , или LiTaO₃ , или SiO₂;

д – формирование звукопровода по тонкопленочной технологии (пленки ZnO и AlN) на сапфире;

е – формирование звукопровода на основе кварца;

ж – формирование звукопровода на основе пьезокерамики;

з – тонкопленочная технология формирования преобразователей, включая фотолитографию;

и – толстопленочная технология формирования преобразователей;

к – технология сборки и монтажа;

л – технология герметизации;

м – технология корпусирования;

н – технология формирования защитных покрытий.

1. а – е; з; к; л; б – г; з; к; м; в – г; з; к; м.

2. а – е; з… л; б – д; з; и; м; в – ж; з; к…м.

3. а – г; ж…м; б – ж; з; к; л; в – г; и… м.

4. а – д; з; и; к; н; б – г; ж; з; к; в – д; з; к… м.

5. а – ж; з; к; м; б – д; и…н; в – е; з…л.

Правильный ответ –

22. Укажите основные технологии изготовления оптронов:

а – на дискретных компонентах; б – на интегральных элементах; из:

в –технология формирования подложки;

г – субтрактивная технология;

д – полупроводниковая технология (на монокристаллах соединений А³В⁵ или твердых растворов на их основе);

е – тонкопленочная технология;

ж – толстопленочная технология;

з – технология формирования световода;

и – технология сборки и монтажа;

к – технология прецизионной сборки и монтажа интегрально-оптических элементов;

л – технология герметизации.

1. а – в; г…л; к; б – в…е; з; и.

2. а – в; г; е; з…л; б – в…д; к; л.

3. а – в; г; е; з; и; л; б – в; д; е; з; к; л.

4. а – в; е…л; б – в… з; л.

5. а – в; е; и; л; б – в… и; л.

Правильный ответ –

5