Комбинированные конденсаторы
Комбинированные конденсаторы выпускают низковольтными и высоковольтными. При создании высоковольтных конденсаторов часто используют комбинированный диэлектрик, состоящий из слоев различных диэлектрических материалов (например, пленки, бумаги, слоя лака) и слоя жидкого диэлектрика (конденсаторная бумага, пропитанная специальным раствором). Такие конденсаторы электрически прочнее бумажных, имеют более высокое сопротивление диэлектрика и стабильность емкости во время эксплуатации. Кроме того, комбинированные конденсаторы с успехом применяют в импульсных цепях (цепях быстрого заряд-разряда) при минимально возможном искажении импульсов, благодаря малой внутренней индуктивности, относительно высокой емкости и способности пропускать большие токи за короткий интервал времени.
Наибольшее применение в конструкциях РЭС имеют низковольтные комбинированные конденсаторы типов К75-10; К75-12; К75-17; К75-18; К75-37; К75-24; К75-27; К75-31; К75-37; К75-38; К75-41; К75-42; К75-43; К75-44; К75-52; К75-57; К75-59;К75П-4, предназначенные для подавления импульсных помех. Они оформляются в металлическом или пластмассовом корпусе, имеют диапазон номинальных емкостей от 470 пФ до 6,8 мкФ при напряжениях 63...1600 В. Диапазон рабочих температур ; диэлектрические потери.
БУМАЖНЫЕ КОНДЕНСАТОРЫ
Это один из самых старых типов конденсаторов, но, тем не менее, все еще достаточно часто используется как имеющий низкую стоимость. Чаще всего применяются малогабаритные низкочастотные бумажные конденсаторы типов БМ-2; БМТ-2 и типов МБМ, МБГО с металлизированными обкладками и удовлетворительной стабильностью характеристик в период эксплуатации.
Диапазон номинальных емкостей 470 пФ...1О мкФ с допусками ± 5%, ± 10%, ± 20%; рабочие напряжения 200...1000 В; диапазон допустимых температур - 60…+70°С (+100°С для БМТ-2); диэлектрические потери 1/°С. Высоковольтные бумажные и металлобумажные конденсаторы типов К41-1; КБГ предназначены для работы в цепях постоянного тока, а конденсаторы МБГВ, К42И-1; К41И-7; К42-12 - в импульсных цепях.
ОКСИДНЫЕ (ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЕ) КОНДЕНСАТОРЫ
Оксидные конденсаторы {прежнее название «электролитические») предназначены для использования в выпрямителях, сглаживающих фильтрах и в других электрических цепях, где необходима значительная емкость конденсатора. Высокая удельная емкость таких конденсаторов обусловлена тонкой окисной пленкой, образованной на металле электродов. В конструкции наиболее массовых алюминиевых конденсаторов применяется диэлектрическая пленка оксида алюминия Аl2O3 с относительной диэлектрической проницаемостью около 10. Схемы, поясняющие устройство оксидных конденсаторов, изображены на рис. 28.
Рис. 28. Схемы устройства оксидных конденсаторов:
а - жидкостного; б - сухого; в - сухого неполярного;
г – оксидно-полупроводникового;д - оксидно-металлического. Обозначения: 1 - металлическая обкладка; 2 - оксидный слой; 3 - жидкий электролит; 4 - катодная фольга; 5 - вязкий электролит в волокнистой или пористой прокладке; 6 - слой полупроводника; 7 - слой графита; 8 - слой металла, нанесенный напылением; 9 - слой металла, нанесенный испарением
Анодную обкладку 1 алюминиевого оксидного конденсатора (см. рис. 28) изготавливают из гладкой алюминиевой фольги или специально подготовленной травленой алюминиевой фольги, у которой поверхность обработана веществами, растворяющими алюминий. Травленая фольга имеет в 3-4 раза большую площадь поверхности, чем гладкая, что обеспечивает повышение удельной емкости конденсатора. Однако за счет глубокого травления снижается морозостойкость конденсаторов (эксплуатация при температуре не ниже -40°С).
Оксидный слой 2 в оксидных конденсаторах имеет относительно толстую аморфную или мелкокристаллическую структуру, под которую наносят более плотный тонкий слой оксида. Значительная пористость толстых слоев оксида позволяет интенсивно пропитывать его электролитом и служить своеобразной прокладкой 5 конденсатора. Гладкая фольга 4 обеспечивает электрический контакт с электролитом по всей поверхности прокладки, что снижает электрическое сопротивление этой обкладки конденсатора. При замене неоксидированной фольги оксидированной получается неполярный оксидный конденсатор (рис. 28, в).
Анодная обкладка, как и слой оксида, полярного оксидного конденсатора при его работе в электрической цепи должна находиться под положительным потенциалом. При отрицательном потенциале проводимость оксида, в силу его полупроводящих свойств, резко возрастает и может вызвать протекание через конденсатор значительного тока, приводящий к разогреву и разрушению конденсатора. Именно свойства оксидного слоя делают конденсатор этого типа полярным, допускающим работу только на постоянном или пульсирующем токе.
Рис. 29. Оксидные конденсаторы типов К50-20; К52-8; К53-14; К53-30
Внешний вид некоторых оксидных конденсаторов представлен на рис. 29.
Свойства оксидного слоя алюминиевых конденсаторов не позволяют получить их рабочее напряжение более 600 В, а танталовых - более 175 В. При минимальной толщине алюминоксида в 10 мкм рабочее напряжение конденсатора составляет 3 В.
Для изготовления анодной фольги применяется особо чистый алюминий, поскольку наличие примесей приводит к интенсивной коррозии обкладки и отказу конденсатора.
Алюминиевые оксидные конденсаторы общего назначения имеют диапазон номинальных емкостей от 0,1 мкФ (К50-40) до 200 000 мкФ (К50-18) с допусками +80…-20% при напряжениях 6 В (К50-6) ... 450 В (К50-7); пределы изменения рабочей температуры от -10...+40°С (К50И-8) до -60...+155°С (К50-48); температурный коэффициент не нормируется. К неполярным алюминиевым оксидным конденсаторам относятся - К50-45; К50-52; к оксидно-полупроводниковым - К53-40; К53-42; к жидким - электролитические конденсаторы типов К50-32; К50-33.
Кроме алюминиевых существуют конденсаторы с оксидными слоями тантала (диэлектрическая проницаемость Та2О5 составляет около 27) и ниобия (диэлектрическая проницаемость Nb2O5 на уровне 40).
Танталовые оксидные конденсаторы общего назначения имеют диапазон номинальных емкостей от 0,68 мкФ (К53-34) до 1500 мкФ (К53-29) с допусками ±10%; ± 20%; ± 30% при напряжениях 1,6 В (К53-16)...50 В (К53-16); пределы изменения температуры -6О...+85°С; температурный коэффициент не нормируется. К объемно-пористым относятся танталовые оксидные конденсаторы К52-1; К52-5; к оксидно-полупроводниковым - К53-7; К53-15; К53-16; К53-18; К53-22; К53-25; К53-28...30; К53-32; К53-34...38.
Ниобиевые оксидные конденсаторы общего назначения имеют диапазон номинальных емкостей от 0,68 мкФ (К53-27) до 100 мкФ (К53-21) с допусками ± 20%; ± 30% при напряжениях 3,2 В (К53-19)... 50 В (К53-4А); пределы изменения температуры -60...+85°С; температурный коэффициент не нормируется. К оксидно-полупроводниковым относятся следующие ниобиевые оксидные конденсаторы: К53-4А; К53-19; К53-21; К53-27; К53-31.
- Москва 2007
- Введение
- 1. Основные термины и определения.
- Контрольные вопросы.
- 2. Конструкторско-технологическая иерархия эвс
- Контрольные вопросы:
- 3. Резисторы электронных устройств (эу).
- Маркировка и условное графическое обозначение резисторов
- Основные технические характеристики резисторов
- Конструкция резисторов и используемые материалы
- Особенности применения резисторов
- Применение полупроводниковых резисторов
- Контрольные вопросы
- 4. Конденсаторы эу.
- Классификация конденсаторов
- Маркировка и условное графическое обозначение конденсаторов
- Основные электрические характеристики конденсаторов
- Конструкция конденсаторов и используемые материалы
- - Прямочастотная;
- Полипропиленовые конденсаторы
- Полиэтилентерефталатные конденсаторы
- Поликарбонатные конденсаторы
- Лакопленочные конденсаторы
- Комбинированные конденсаторы
- Особенности применения конденсаторов
- Контрольные вопросы
- 5. Устройства отображения информации
- Сегментные индикаторы
- Матричные индикаторы
- Система параметров индикаторов
- Светоизлучательные диоды
- Сегментные индикаторы
- Матричные индикаторы
- Жидкокристаллические индикаторы
- Вакуумные люминесцентные индикаторы
- Индикаторы на элт
- Газоразрядные индикаторы, плазменные панели
- Накальные индикаторы
- Электролюминесцентные индикаторы
- Электрохромные и электрофорезные индикаторы
- Электрофорезные индикаторы
- Сравнение различных типов индикаторов и перспективы их развития
- Заключение
- Контрольные вопросы
- 6.Устройства функциональной микроэлектроники
- Конструктивное оформление микросхем
- Функциональные компоненты
- Компоненты функциональной оптоэлектроники
- Функциональные приборы на жидких кристаллах
- Функциональные приборы с зарядовой связью
- Тестовые вопросы
- Вопросы