Лабы1-7_КБРЕ_2010
Лабораторная работа № 5 Исследование статических параметров биполярных транзисторов
Цель работы – изучить физические процессы, статические вольтамперные характеристики, графическое определение малосигнальных параметров биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.
.
Содержание
- Компонентная база радиоэлектронных средств
- Компонентная база радиоэлектронных средств. Методические указания к лабораторным работам/ – Одесса: Одесская национальная морская академия, 2010. – 113 с.
- Введение
- Лабораторная работа №1
- Теоретические знания
- Классификация резисторов
- Параметры постоянных резисторов
- Обозначение и маркировка постоянных резисторов
- Р 1-4-0,5-10 кОм ± 1% а-б-в ожо.467.157ту
- 4. Основные конструкции постоянных резисторов
- Методика расчета резистивного делителя напряжения
- Контрольные вопросы
- Теоретические знания
- Классификация конденсаторов
- Параметры постоянных конденсаторов
- 3 Система условных обозначений конденсаторов
- 4 Основные конструкции конденсаторов постоянной емкости
- 5 Характеристика и использование некоторых типов конденсаторов постоянной емкости
- 6 Частотные rc-фильтры
- 6.1 Rc-фильтр высоких частот
- 6.2 Rc-фильтр низких частот
- Контрольные вопросы
- Теоретические знания
- 2 Дроссели высокой частоты
- 3 Трансформаторы
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа №4 исследование полупроводниковых диодов
- Лабораторная схема
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- Образование электронно-дырочного перехода
- Вольтамперная характеристика р-п перехода
- Полупроводниковые диоды
- Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- 3.2 Классификация диодов
- Параметры и применение исследуемых типов диодов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 5 Исследование статических параметров биполярных транзисторов
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- 2 Работа транзистора в активном режиме
- 3 Сравнение различных схем включения транзистора
- 4 Модель Эберса-Молла
- 5 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- 6 Статические характеристики биполярного транзистора
- 7 Работа транзистора в импульсном режиме
- 8 Основные параметры биполярных транзисторов
- 9 Классификация биполярных транзисторов
- 10 Система обозначений биполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 6 Исследование статических параметров униполярных транзисторов
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- 2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- 4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- 5 Основные схемы включения униполярных транзисторов и особенности их применения
- 6 Основные параметры униполярных транзисторов
- 7 Классификация униполярных транзисторов
- 8 Система обозначений униполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа №7 исследование топологии толстопленочных интегральных микросхем
- Лабораторная схема
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- Основные определения
- Классификация интегральных микросхем
- Корпуса и маркировка имс
- Изготовление и проектирование толстопленочных имс
- Контрольные вопросы
- Литература
- Содержание
- Компонентна база радіоелектроних засобів
- 65029, М. Одеса, вул. Дідріхсона, 8
- Publish@ma.Odessa.Ua