5 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
Если переменные напряжения на переходах транзисторов достаточно малы, то токи в нем оказываются линейными функциями этих напряжений. Поэтому транзистор можно рассматривать как линейный четырехполюсник (рис.5.6). При этом два внешних вывода четырехполюсника считают входными и соответствующие им ток и напряжение обозначают какI1 и U1. Два других вывода являются выходными, соответствующие им ток и напряжение обозначают как I2 и U2. За положительное значение принимают значения токов, входящих в четырехполюсник.
Для описания связи между I1, U2, I2 и U2 обычно используют три системы: систему z-параметров, систему y-параметров и систему h–параметров.
Для системы z-параметров напряжения рассматриваются как линейные функции тока:
. (5.23)
Коэффициенты zik, имеющие размерность сопротивления и являющиеся комплексными, можно выразить через токи и напряжения, измеренные в режиме холостого хода, следующим образом:
. (5.24)
Здесь, как и в дальнейшем, индекс 11 означает входной параметр, индекс 12 – параметр обратной связи, индекс 21 – параметр прямой передачи, индекс 22 – выходной параметр.
Для получения режима холостого хода в цепь включают сопротивление, значительно большее входного или выходного сопротивления четырехполюсника, а питание электродов осуществляют постоянным напряжением. Осуществить режим холостого хода в цепи эмиттера или базы не составляет труда, поскольку внутреннее сопротивление открытого перехода достаточно мало. Однако создать режим холостого хода в цепи коллектора затруднительно, поскольку сопротивление обратно смещенного коллекторного перехода достигает нескольких Мом. По этой причине экспериментально определить z-параметры транзистора трудно.
Для системы у-параметров токи рассматриваются как линейные функции напряжения:
. (5.25)
Коэффициенты уik, имеющие размерность проводимости и являющиеся комплексными, можно выразить через токи и напряжения, измеренные в режиме короткого замыкания, следующим образом:
. (5.26)
Для получения режима короткого замыкания исследуемую цепь шунтируют сопротивлением, значительно меньшим внутреннего сопротивления соответствующей цепи. Учитывая необходимость обеспечения питания электродов транзистора постоянным напряжением, такое шунтирование можно проводить емкостью.
Режим короткого замыкания легко осуществить в цепи коллектора, где внутренне сопротивление велико. Однако осуществить режим короткого замыкания в цепи эмиттера, особенно на низких частотах, крайне затруднено. По этой причине система у-параметров ограничено применяется для описания свойств транзисторов.
Для избежания указанных трудностей для описания свойств транзисторов широко применяется система h–параметров, использующая смешанную систему определения токов и напряжений:
. (5.27)
В этой системе для определения h–параметров необходим режим короткого замыкания в выходной цепи и режим холостого хода во входной цепи, что для транзистора реализовать достаточно просто:
. (5.28)
Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттеров выражение (5.27) переписывается в виде
. (5.29)
Физический смысл h–параметров следующий:
- входное сопротивление при коротком замыкании выходной цепи;
- коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе во входной цепи;
- коэффициент передачи тока при коротком замыкании выходной цепи;
- выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи.
Система h–параметров удобна для описания свойств транзисторов из-за удобства их экспериментального определения, а также из-за того, что h–параметры измеряют в режимах, близких к режимам работы транзистора в практических схемах.
Значения параметров транзистора, представленного в виде четырехполюсника, зависят от схемы включения транзистора. Однако, если эти параметры известны для какой-либо одной схемы, сравнительно легко провести пересчет для любой другой схемы. Для этого надо заменить напряжения и токи (имея в виду правило знаков), учитывая, что в транзисторе
(5.30)
(5.31)
- Компонентная база радиоэлектронных средств
- Компонентная база радиоэлектронных средств. Методические указания к лабораторным работам/ – Одесса: Одесская национальная морская академия, 2010. – 113 с.
- Введение
- Лабораторная работа №1
- Теоретические знания
- Классификация резисторов
- Параметры постоянных резисторов
- Обозначение и маркировка постоянных резисторов
- Р 1-4-0,5-10 кОм ± 1% а-б-в ожо.467.157ту
- 4. Основные конструкции постоянных резисторов
- Методика расчета резистивного делителя напряжения
- Контрольные вопросы
- Теоретические знания
- Классификация конденсаторов
- Параметры постоянных конденсаторов
- 3 Система условных обозначений конденсаторов
- 4 Основные конструкции конденсаторов постоянной емкости
- 5 Характеристика и использование некоторых типов конденсаторов постоянной емкости
- 6 Частотные rc-фильтры
- 6.1 Rc-фильтр высоких частот
- 6.2 Rc-фильтр низких частот
- Контрольные вопросы
- Теоретические знания
- 2 Дроссели высокой частоты
- 3 Трансформаторы
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа №4 исследование полупроводниковых диодов
- Лабораторная схема
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- Образование электронно-дырочного перехода
- Вольтамперная характеристика р-п перехода
- Полупроводниковые диоды
- Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- 3.2 Классификация диодов
- Параметры и применение исследуемых типов диодов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 5 Исследование статических параметров биполярных транзисторов
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- 2 Работа транзистора в активном режиме
- 3 Сравнение различных схем включения транзистора
- 4 Модель Эберса-Молла
- 5 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- 6 Статические характеристики биполярного транзистора
- 7 Работа транзистора в импульсном режиме
- 8 Основные параметры биполярных транзисторов
- 9 Классификация биполярных транзисторов
- 10 Система обозначений биполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 6 Исследование статических параметров униполярных транзисторов
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- 2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- 4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- 5 Основные схемы включения униполярных транзисторов и особенности их применения
- 6 Основные параметры униполярных транзисторов
- 7 Классификация униполярных транзисторов
- 8 Система обозначений униполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа №7 исследование топологии толстопленочных интегральных микросхем
- Лабораторная схема
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- Основные определения
- Классификация интегральных микросхем
- Корпуса и маркировка имс
- Изготовление и проектирование толстопленочных имс
- Контрольные вопросы
- Литература
- Содержание
- Компонентна база радіоелектроних засобів
- 65029, М. Одеса, вул. Дідріхсона, 8
- Publish@ma.Odessa.Ua