Параметры постоянных резисторов
К ним относятся:
Номинальное значение сопротивления, которое указывается на корпусе резистора. Согласно ГОСТ 2825-67 резисторы имеют шесть рядов номинального сопротивления: Е6, Е12, Е24, Е48, Е96, Е192. Числа указывают количество номинальных значений в каждой декаде. Так ряд Е6 имеет 6 значений сопротивления в пределах декады: 1,0; 1,5; 2,2; 3,3; 4,7; 6,8; а ряд Е24 – 24 значения сопротивления в пределах декады: 1,0; 1,1; 1,2; 1,3; 1,5; 1,6; 1,8; 2,0; 2,2; 2,4; 2,7; 3,0; 3,3; 3,6; 3,9; 4,3;4,7; 5,1; 5,6; 6,2; 6,8; 7,5; 8,2; 9,1.
Допуск – максимально допустимое отклонение номинального сопротивления в %. Согласно ГОСТ 9664-74 ряд допусков для резисторов в %: ± 0,001; ± 0,002; ± 0,005; ± 0,01; ± 0,02; ± 0,05; ± 0,1; ± 0,25; ± 0,5; ± 1; ± 2; ± 5; ± 10; ± 20; ± 30.
Номинальная мощность рассеивания. Это максимальная мощность, которую может рассеять резистор на протяжении гарантированного срока службы. Согласно ГОСТ 24013-80 и ГОСТ 10318-8 значения номинальной мощности рассеивания, в Вт: 0,01; 0,025; 0,05; 0,062; 0,125; 0,25; 0,5; 1; 2; 3; 4; 5; 8: 10; 16; 25; 40; 63; 80; 100; 160; 250; 500.
Максимальное напряжение. Это максимальное напряжение, при котором может работать резистор.
Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) – это относительное изменение сопротивления резистора при изменении температуры на 1 градус. Для прецизионных резисторов ТКС находится в пределах от (1 до 100).10−6 К-1. Для резисторов общего назначения он находится в пределах от (10 до 2000).10−6 К-1. Для углеродистых и бороуглегродистых резисторов ТКС отрицательный, для остальных положительный.
Напряжение шумов. Это значение э.д.с. шумов резисторов вследствие теплового или токового шума. Значения напряжения шумов для непроволочных резисторов изменяется от 0,1 до 100 мкВ/В.
- Компонентная база радиоэлектронных средств
- Компонентная база радиоэлектронных средств. Методические указания к лабораторным работам/ – Одесса: Одесская национальная морская академия, 2010. – 113 с.
- Введение
- Лабораторная работа №1
- Теоретические знания
- Классификация резисторов
- Параметры постоянных резисторов
- Обозначение и маркировка постоянных резисторов
- Р 1-4-0,5-10 кОм ± 1% а-б-в ожо.467.157ту
- 4. Основные конструкции постоянных резисторов
- Методика расчета резистивного делителя напряжения
- Контрольные вопросы
- Теоретические знания
- Классификация конденсаторов
- Параметры постоянных конденсаторов
- 3 Система условных обозначений конденсаторов
- 4 Основные конструкции конденсаторов постоянной емкости
- 5 Характеристика и использование некоторых типов конденсаторов постоянной емкости
- 6 Частотные rc-фильтры
- 6.1 Rc-фильтр высоких частот
- 6.2 Rc-фильтр низких частот
- Контрольные вопросы
- Теоретические знания
- 2 Дроссели высокой частоты
- 3 Трансформаторы
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа №4 исследование полупроводниковых диодов
- Лабораторная схема
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- Образование электронно-дырочного перехода
- Вольтамперная характеристика р-п перехода
- Полупроводниковые диоды
- Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- 3.2 Классификация диодов
- Параметры и применение исследуемых типов диодов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 5 Исследование статических параметров биполярных транзисторов
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- 2 Работа транзистора в активном режиме
- 3 Сравнение различных схем включения транзистора
- 4 Модель Эберса-Молла
- 5 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- 6 Статические характеристики биполярного транзистора
- 7 Работа транзистора в импульсном режиме
- 8 Основные параметры биполярных транзисторов
- 9 Классификация биполярных транзисторов
- 10 Система обозначений биполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 6 Исследование статических параметров униполярных транзисторов
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- 2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- 4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- 5 Основные схемы включения униполярных транзисторов и особенности их применения
- 6 Основные параметры униполярных транзисторов
- 7 Классификация униполярных транзисторов
- 8 Система обозначений униполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа №7 исследование топологии толстопленочных интегральных микросхем
- Лабораторная схема
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- Основные определения
- Классификация интегральных микросхем
- Корпуса и маркировка имс
- Изготовление и проектирование толстопленочных имс
- Контрольные вопросы
- Литература
- Содержание
- Компонентна база радіоелектроних засобів
- 65029, М. Одеса, вул. Дідріхсона, 8
- Publish@ma.Odessa.Ua