Логические элементы на мдп-транзисторах

Ключ на МДП–транзисторах можно выполнить с резистивной нагрузкой (как R₃ в схеме 24), но технологически целесообразнее применять так называемую динамическую нагрузку - Т₃ на схемах 25 и 26.

При последовательном соединении нескольких активных транзисторов получим логический элемент И–НЕ (рис. 26). Параллельное соединение активных транзисторов позволяет выполнить логическую операцию ИЛИ–НЕ (рис. 25). Наиболее часто используют логические схемы на МДП–транзисторах с индуцированным n-каналом.

В ИМС на КМДП-транзисторах (рис. 27 и 28) на каждый вход используется пара транзисторов с различной проводимостью канала, при этом затворы p-канального и n-канального транзисторов соединяются вместе. Особенность схем КМДП – весьма малая потребляемая мощность – является большим достоинством по сравнению с ранее рассмотренными логическими элементами.

Для выполнения операции И–НЕ используется схема рис. 28, в которой несколько нижних n-канальных транзисторов соединяются последовательно, а такое же число верхних р-канальных – параллельно.

Элемент ИЛИ–НЕ получается при параллельном соединении нижних и последовательном верхних транзисторов (рис. 27). В этом можно убедиться, рассматривая все возможные комбинации входных логических сигналов.

Описание к КПК «Триггеры»