logo
Elektrotekhnika_i_elektronika_OTVET

4 6) Биполярные транзисторы. Коэффициенты усиления в транзисторах

Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают npn и pnp транзисторы (n(negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный). В биполярном транзисторе, в отличие от других разновидностей, основными носителями являются и электроны, и дырки (от слова «би» — «два»). Схематическое устройство транзистора показано на втором рисунке.

Электрод, подключённый к центральному слою, называют базой, электроды, подключённые к внешним слоям, называют коллектором и эмиттером. На простейшей схеме различия между коллектором и эмиттером не видны. В действительности же главное отличие коллектора — бо́льшая площадь p — n-перехода. Кроме того, для работы транзистора абсолютно необходима малая толщина базы.

Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями:

Схема включения с общей базой

Усилитель с общей базой.

Входное сопротивление для схемы с общей базой мало и не превышает 100 Ом для маломощных транзисторов, так как входная цепь транзистора при этом представляет собой открытый эмиттерный переход транзистора.

Достоинства:

Недостатки схемы с общей базой :

Схема включения с общим эмиттером

Iвых = Iк Iвх = Iб Uвх = Uбэ Uвых = Uкэ

Достоинства:

Недостатки:

Схема с общим коллектором

Iвых = Iэ Iвх = Iб Uвх = Uбк Uвых = Uкэ

Достоинства:

Недостатки: