Введение
Содержание работы.
В данной курсовой работе разрабатывается технологический процесс получения легированного монокристалла ФГДЦЧ-5-17, на 20% компенсированного теллуром, с разбросом концентрации носителей заряда по длине слитка не более ±50%. Рассматривается процесс синтеза материала и условия легирования, режим роста монокристалла.
Исходные данные
Разработать технологический процесс, рассчитать условия легирования и режимы роста монокристалла ФГДЦЧ -5-17, на 20% компенсированного теллуром, длиной 400 мм, диаметром 50 мм с разбросом концентрации носителей заряда по длине слитка не более p/p = 50%.
Определить концентрацию и массу легирующей примеси, перераспределение остаточных примесей, если их концентрация в исходном материале составляет цинк 10-4 масс. %. Определить выход годного материала. Рассчитать изменение степени компенсации по длине кристалла.
- Введение
- 1. Основные свойства материалов
- 2. Применение полупроводникового GaP
- 3. Обзор современного состояния технологии производства полупроводниковых соединений
- 4. Обоснование выбора метода выращивания GaP
- 5. Описание метода Чохральского для выращивания фосфида галлия
- 6. Расчетная часть
- 7. Схема установки по выращиванию кристаллов методом Чохральского
- Выводы